上海
7月27日，国产DRAM龙头长鑫科技正式登陆科创板。上市首日，长鑫科技开盘报49.50元/股，较发行价上涨471.6%，总市值达到约3.3万亿元。截至今日下午收盘，长鑫科技股价为49.00元，总市值达3.28万亿元。
长鑫科技成立于2016年，专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。本次IPO募资总额约579亿元，超过中芯国际此前创下的532亿元科创板最高募资纪录，成为科创板开板以来规模最大的IPO。在主承销商全额行使超额配售选择权后，募资总额进一步提升至666亿元。
据招股书披露，本次募集资金主要投向三大方向：存储器晶圆制造量产线升级项目总投资75亿元，全额使用募资；DRAM存储器技术升级项目总投资180亿元，其中130亿元来自募资；前瞻技术研发项目投资90亿元，全额使用募资。
财务数据显示，长鑫科技近年来业绩持续改善。2023年度至2025年度，公司扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润分别为-167.52亿元、-78.70亿元及53.16亿元。进入2026年，公司盈利大幅跃升——一季度实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；净利润330.12亿元，归母净利润247.62亿元，同比均实现扭亏为盈。
2026年上半年，长鑫科技预计实现营业收入1100亿至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；归母净利润500亿至570亿元，同比增长2244.03%至2544.19%。
文章来源：全球半导体观察
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