四川
DRAM（动态随机存取存储器）——手机、电脑、服务器运行的核心部件。长期以来，三星、SK海力士、美光三家外国公司占据全球90%以上的DRAM市场。2016年之前，中国大陆在这一领域几乎空白。一家名为长鑫科技的中国企业，用十年时间从零起步，成为全球第四大DRAM厂商。2026年7月，长鑫科技登陆科创板，开盘市值突破3.3万亿元。
长鑫科技成立于2016年，创始人朱一明毕业于清华大学物理系，本硕连读。此前，他于2005年创办兆易创新，在NOR Flash存储芯片领域跻身全球前列。2016年，朱一明将目光投向DRAM领域。2018年，他辞去兆易创新总经理职务，全职出任长鑫科技董事长兼CEO，并立下军令状：项目盈利之前，不领一分钱工资、不拿一分钱奖金。
2019年9月，长鑫科技推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的历史性突破。此后，公司完成了从第一代到第四代工艺技术平台的量产，产品覆盖DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X。
截至2025年底，长鑫科技累计亏损达366.5亿元。2025年，公司首次实现全年扭亏为盈，归母净利润18.75亿元。2026年一季度，长鑫科技全球DRAM市场份额达7.7%—8%，位列全球第四、中国第一。目前全球能规模化生产DRAM且具备完整研发设计制造一体化能力的企业，除三星、SK海力士、美光外，第四家便是长鑫科技。
2025年下半年以来，全球DRAM市场经历了一轮强劲的涨价周期。受AI服务器需求爆发、主要厂商将产能转向HBM高带宽存储等因素影响，通用DRAM供应趋紧。据公开报道，DDR5内存价格一年涨幅达419%。
一台AI服务器所需的存储芯片是普通服务器的数倍。大模型训练、自动驾驶、数据中心等应用对存储容量的需求持续攀升。全球存储芯片的供需缺口正在扩大，而长鑫科技恰好处于这一缺口之上。
在产能方面，长鑫科技在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。2025年末月产能达30万片，2026年计划冲刺40万片。随着产能持续扩张，长鑫在全球DRAM市场的份额有望进一步提升。
技术层面，长鑫在通用DRAM领域已接近国际主流水平，但在最先进制程和HBM赛道仍存在差距。海外巨头已稳定量产10nm级先进制程，长鑫主力仍为17nm工艺。在HBM领域，三星、SK海力士已推进到HBM4，长鑫HBM3样品刚完成送样验证。不过，长鑫已通过IPO募资投向HBM及新一代DDR5/LPDDR5X研发。
尽管取得了从零到全球第四的突破，长鑫科技与行业前三的差距仍然显著。2026年一季度，三星DRAM市占率约38%，SK海力士约29%，美光约22%，而长鑫约为8%。规模差距之外，工艺代差和HBM领域的落后也是客观现实。
但长鑫的出现已经改变了全球DRAM市场的竞争格局。这是二十年来第一次有非韩、非美企业将DRAM行业的垄断铁幕撕开了一道缝隙。从曾经的“不被统计”到全球7.67%的市占率，长鑫科技用十年时间走完了海外巨头三四十年走过的路。
2026年7月，长鑫科技正式登陆上交所科创板，发行价8.66元/股，募资总额约579亿元，成为科创板史上最大IPO。开盘首日股价大涨，市值一度突破3.3万亿元。
从2016年的一片空白，到2026年全球第四、科创板市值第一，长鑫科技的十年是中国存储芯片产业从无到有的缩影。366亿元的累计亏损、创始人八年零薪的坚守、从DDR4到DDR5的技术迭代——这家企业撕开了全球DRAM市场铁板一块的格局。
但追赶之路远未结束。8%对89%的份额差距、17nm对10nm的工艺代差、HBM3对HBM4的技术落差，都意味着长鑫仍需持续投入。存储芯片行业是一个周期性强、资本密集、技术迭代快的赛道，长鑫能否在下一轮行业下行周期中保持竞争力，仍有待时间检验。但至少，中国企业在全球DRAM牌桌上，已经有了一张属于自己的座位。
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