引 言
《集成电路布图设计保护条例》于2001年4月2日以国务院令第300号公布,自2001年10月1日起施行,是我国保护集成电路布图设计专有权的基础性行政法规。2026年7月10日,国务院第91次常务会议修订通过该条例;2026年7月23日,国务院总理李强签署第842号国务院令予以公布;修订后的条例自2026年10月15日起施行。这是该条例施行25年来的首次系统性修订。
修订后的条例共6章54条(原条例为6章36条)。根据司法部、国家知识产权局负责人答记者问,本次修订遵循三条总体思路:一是贯彻落实党中央和国务院关于加强知识产权法治保障的决策部署,强化集成电路布图设计保护和运用;二是聚焦当前突出问题,完善登记、保护和管理制度,将实践中行之有效的做法上升为行政法规;三是与有关法律法规、国际条约做好衔接。修订内容集中于四个方面:明确总体要求、扩展保护范围、强调诚实信用;完善申请与审查程序;加强专有权保护、加大侵权赔偿力度;促进布图设计运用。
以下对新旧条例进行对照,并结合企业生产经营实际提出合规建议。
主要制度变化:新旧对照
为便于阅读,以下按五个主题分组对照。表中“旧条例”指2001年国务院令第300号公布的文本,“新条例”指2026年国务院令第842号修订的文本,括注为新条例条文序号。
(一)保护范围与基本原则
光子、量子集成电路布图设计纳入保护,是本次修订最具前瞻性的变化之一,为新型芯片的版图保护提供了明确的法规依据;诚实信用与禁止滥用条款则与民法典、反垄断法形成衔接。
(二)登记与审查程序
独创性声明制度是本次修订的核心新增制度。声明不仅用于审查,还将在侵权认定中用于解释布图设计的独创性(第34条),其撰写质量直接影响权利的稳定性和保护范围。同时,撤销程序向任何主体开放,意味着登记的“含金量”将受到同行和竞争对手的事后检验,虚假申请、拼凑申请材料的风险显著上升。
(三)权利行使与促进运用
本章变化体现了“促进运用”的立法导向:许可备案、出质登记为布图设计的交易和融资提供了明确的公示路径;共有人规则填补了合作开发中的常见争议空白;向境外转让的手续要求则提示企业注意技术进出口管制的合规衔接。
(四)法律责任与救济
惩罚性赔偿的引入是本次修订“强保护”的集中体现,使布图设计侵权赔偿规则与专利法、商标法、著作权法的惩罚性赔偿体系看齐。故意抄袭版图的最高赔偿可达实际损失或许可费倍数的5倍,显著抬高侵权成本,也对企业的内部合规提出了更高要求。
(五)其他配套规则及未作改动的核心制度
电子版图样原则上不向公众开放查阅复制,这一规定兼顾了权利公示与商业秘密保护,对企业是实质性利好。
需要说明的是,除上述新增及调整内容外,本次修订对以下核心制度未作实质改动,企业既有管理经验仍然有效:布图设计专有权经登记产生、未经登记不受保护;独创性判断标准;保护期为10年、自登记申请日或首次商业利用日(以较前者为准)起算,且自创作完成之日起满15年不再保护;首次商业利用之日起2年内申请登记的宽限期,但企业实务中常面临如何证明“首次商业利用”时间点的问题,企业应系统保存首次销售合同、发票、海关出口报关单等证明首次商业利用时间的证据材料,以备在宽限期争议中承担举证责任;为评价、分析、研究、教学目的的复制及在其基础上独立创作的豁免(即反向工程豁免);权利用尽原则;保护不延及思想、处理过程、操作方法或数学概念。
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