半年吸金22亿，研微半导体剑指国产高端设备

8月27日，研微（江苏）半导体科技有限公司（以下简称"研微半导体"）宣布完成近15亿元B轮融资，中电科产业基金、中车资本、京东方等产业方战略入股。这家成立四年的无锡企业聚焦高端ALD、PECVD及外延设备，设备已进入头部晶圆厂。本文从资本集结、沉积外延设备产业格局与国产厂商竞合三个维度，解析本轮大额融资背后的国产替代逻辑与行业走向。

近15亿元B轮落定：产业资本与金融资本的集体加注

研微半导体B轮融资的出资方阵容颇为豪华：中电科产业基金、中车资本、京东方等相关产业方战略入股，中金资本、沃衍资本、华泰紫金、博华产投、招银AIC、中银AIC、厚纪资本、硬核资本等多家头部投资机构参与，老股东持续加码追投，无锡高新投（锡高投）亦参与追投。

从出资结构看，本轮融资呈现出鲜明的“产业资本+金融资本+地方国资”三元合力。京东方是全球显示面板龙头，中电科、中车则是功率半导体器件的重要应用方，它们的战略入股意味着研微半导体不仅是一个财务投资标的，更被视作下游产业供应链自主可控布局中的一环。招银AIC、中银AIC等银行系资本的入场，以及无锡地方国资的持续追投，则显示出金融资本与地方政府对该赛道的长期看好。

公开资料显示，研微半导体成立于2022年10月，总部位于江苏无锡，专注高端半导体薄膜沉积设备的研发、生产与销售，核心产品覆盖高端ALD（原子层沉积）、PECVD（等离子体增强化学气相沉积）及特色外延设备，具体包括tALD、PEALD、硅外延（Si EPI）、碳化硅外延（SiC EPI）等，并有原子层刻蚀（ALE）技术储备，产品广泛应用于高端集成电路、功率器件、射频元件及先进封装领域。公司研发团队由10余位海外博士领衔，其中五人入选国家级人才计划。

四年三级跳，资本为何敢下重注

研微半导体的融资轨迹，在近年国产半导体设备初创公司中颇具代表性。2025年11月，公司完成数亿元A轮融资，投资方包括永鑫方舟、金圆资本、合肥产投等；随后获得无锡创投集团、欣柯资本、湖杉资本的A+轮投资；2026年2月，公司再完成近7亿元A轮融资，高瓴资本、金石投资等机构入局；至2026年8月，B轮融资总额进一步放大至近15亿元。不到一年时间，单轮融资规模实现了数量级跃升，估值曲线陡峭上扬。

资本敢于持续加注的前提，是产品已在客户端跑通。公司在成立三年时已有多台设备通过Fab厂验证；2026年8月4日，其自主研发的SiC EPI设备再次交付国内上市公司客户，且这是一轮复购订单——在设备行业，复购是对设备膜层均匀性、外延品质、整机稳定性与工艺兼容性最直接的认可。

把镜头拉远，研微的融资节奏恰是国产半导体设备投融资热潮的一个缩影。行业研究报告指出，自2023年以来，资金持续涌入国内半导体设备公司，无论未上市公司的早期融资还是冲刺IPO，半导体设备公司都备受资本青睐，国产设备早期融资已成为PE、VC热捧的“黄金赛道”。仅在前道沉积设备细分领域，2026年7月，由中芯国际牵头设立背景的盛吉盛半导体刚完成超10亿元大额股权融资，并于同月启动A股IPO辅导，资本化进程明显提速。“大额融资+快速资本化”正在成为该赛道头部玩家的共同路径。

【图表：国产薄膜沉积设备企业近期大额融资对比图】

本轮融资金额之高，在国产沉积设备初创公司中尤为罕见。对照研微自身融资史：2026年2月的A轮融资近7亿元，而仅半年后的B轮融资就近15亿元，规模翻倍；同期盛吉盛半导体的单轮融资超10亿元。资金密度快速抬升的背后，是资本对沉积设备国产化窗口期的集体判断——谁先跑通量产验证、谁先建立平台化产品线，谁就能在下一轮设备采购周期中占位。

沉积与外延设备，芯片制造的“隐形基石”

薄膜沉积与外延是芯片制造中决定器件性能的核心工序之一，晶体管结构的复杂度不断提升，对刻蚀和薄膜沉积技术提出了更高要求。SEMI数据显示，2024年全球晶圆制造设备（WFE）销售额约达1042亿美元；2025年增至1169亿美元，创下历史新高；根据SEMI于2026年7月发布的《年中总半导体设备市场预测报告》，2026年全球晶圆厂设备销售额将同比增长23.1%至1439亿美元，全球半导体制造设备总销售额预计达1659亿美元、同比增长23.2%，并有望在2028年攀升至2295亿美元，实现连续五年增长。薄膜沉积设备约占晶圆制造设备市场的22%，按此测算，2024年全球薄膜沉积设备市场规模约为230亿美元。

【图表：全球晶圆制造设备（WFE）市场规模趋势图】

然而，这一庞大市场长期被国际巨头把持。由于传统国际大厂先发优势显著，叠加半导体设备验证周期长、配套设施和供应链重置成本高形成的客户认证壁垒，全球薄膜沉积设备市场基本由应用材料（AMAT）、泛林半导体（LAM）、TEL、先晶半导体（ASM）等厂商占据主要份额。从市场份额看，应用材料市占率约30%，泛林半导体约20%至25%，TEL约15%至20%，先晶半导体约10%至15%。

【图表：全球主要薄膜沉积设备厂商市场份额区间图】

国产化率是另一组值得关注的数字：中国半导体设备市场规模2024年达496亿美元，同比增长35%，连续五年位居全球首位，但前道设备关键九类国产化率不足10%，7纳米及以下制程国产化率接近于零。以研微重点布局的CVD设备为例，据QYResearch报告，中国CVD设备市场规模将在2030年突破50亿美元，但当前国产化率不足20%。供需缺口叠加海外设备供应受限的背景，国内晶圆厂基于供应链安全考量，对国产沉积设备的验证导入明显提速。

研微的切入点亦体现出差异化思路：一方面卡位ALD、PECVD等高端薄膜沉积主赛道；另一方面将SiC外延作为特色突破口。在第三代半导体制造中，SiC外延是核心工艺，直接影响SiC功率器件的电学性能、良率及产业化落地。研微SiC EPI设备适配6/8英寸SiC晶圆，覆盖新能源汽车功率器件、储能变流器、工业电源等主流赛道，支持平面、沟槽类SiC外延量产工艺，产能提升1.2~1.4倍，并可借助标准化模块化设计提升产线稼动率、优化综合成本。在新能源汽车800伏高压平台与储能需求带动SiC器件放量的产业背景下，这一卡位恰好踩中外延设备国产化需求高涨的风口。

国产厂商多点突围，研微半导体卡位何处

国产沉积外延设备版图上，已聚集起多类玩家。龙头阵营中，北方华创已形成覆盖PVD、CVD、ALD、EPI、ECP及MOCVD等技术路线的薄膜沉积设备布局，PVD、立式炉装备相继达成累计交付1000台里程碑，2025年刻蚀设备和薄膜沉积设备两大业务收入均突破100亿元，2026年上半年实现营业收入201.61亿元、同比增长24.90%，其中电子工艺装备收入192.05亿元、同比增长25.86%；中微公司2026年上半年实现营收66.91亿元、同比增长34.89%，2025年薄膜设备销售收入同比增长约224.23%，减压外延设备已在成熟制程客户端验证成功并付运多家先进制程客户端，部分先进工艺已进入量产验证阶段，常压外延设备亦完成开发、进入晶圆验证；拓荆科技2026年上半年实现营收29.13亿元、同比增长49.06%，PECVD Stack（ONO叠层）、ACHM系列工艺设备在先进存储与先进逻辑领域规模化量产，ALD设备在先进存储领域量产规模快速攀升；微导纳米则在ALD与CVD领域加速布局。

国家队与新势力同样来势汹汹。具有深圳国资背景的新凯来在SEMICON China 2025上一次性发布峨眉山外延沉积、阿里山原子层沉积、普陀山PVD、武夷山刻蚀、长白山化学气相沉积等多个系列设备，并积极推进设备在晶圆制造产线中的验证和应用。初创阵营中，盛吉盛半导体聚焦12英寸薄膜沉积与快速热处理设备，其12英寸薄膜沉积等核心产品累计交付超过120个反应腔，并已批量进入国内头部逻辑、存储厂商量产线；据公司及地方招商部门披露，蓝河科技已形成覆盖第二代至第四代半导体材料的MOCVD设备产品布局，并实现多类设备批量交付，累计获得MOCVD及CVD系列装备订单300余台，已交付设备150余台，其氧化镓MOCVD设备已完成工艺落地，适配6英寸外延产线，并于2026年初开始批量交付。在GaN功率器件、光电子等高端MOCVD细分市场，爱思强、维易科等海外厂商仍具有较强优势，国产设备企业正在加快产品验证和市场导入。

在这一格局中，研微半导体的路径可概括为“高端主赛道+特色外延”的双线卡位：以ALD、PECVD切入逻辑、存储等高端集成电路制造，以SiC EPI契合第三代半导体功率器件的放量周期。对一家成立四年的初创公司而言，避开与国际巨头在全部产品线上的正面消耗，聚焦细分工艺做深做透，是更现实的突围策略；而平台化架构（支持晶圆规格升级）的设计，则为后续品类扩张预留了空间。

冷思考：大额融资只是入场券

需要指出，资本热度并不自动等于产业终局。半导体设备行业具有极高的技术壁垒与客户认证壁垒，设备从送样验证到批量采购往往需要漫长的产线考核周期。近15亿元融资到账后，研微半导体至少需要在三个方面持续证明自己。

其一是研发投入的持续性。沉积与外延设备的工艺窗口调优依赖长期数据积累，同行中微公司即以研发周期从三年到五年缩短至两年的节奏，支撑其产品组合扩张至54种高端设备产品、占据全球高端半导体设备市场25%至30%的份额。其二是从单点设备到平台化能力的跨越。头部晶圆厂更倾向采购具备整体解决方案能力的供应商，设备商需要围绕客户先进制程做联合研发，才能切入下一代工艺。其三是产能、交付与服务体系的重资产投入。半导体制造是典型的重资产、长周期行业，扩产、测试平台升级与仓储物流体系建设均需巨额资本，这正是本轮及此前融资资金的主要去向。

对行业而言，研微的B轮融资释放了一个积极信号：在薄膜沉积这一“卡脖子”特征最典型的环节，产业资本、金融资本与地方国资已形成合力，国产替代正从“能用”走向“好用”的深水区。

结语

近15亿元的B轮融资，对研微半导体而言，既是对其四年技术长征的一次定价，也是国产沉积外延设备赛道加速集结的注脚。在全球薄膜沉积设备逾两百亿美元的大盘中，国产厂商整体份额仍处于爬坡阶段，以研微为代表的新生力量，正在ALD、PECVD与SiC外延等关键细分工艺上，为"中国芯"补上又一块拼图。资本盛宴之后，真正决定胜负的，仍是设备在晶圆厂产线上的每一片良率。