江苏
8月30日，拓荆科技股份有限公司董事长吕光泉、无锡尚积半导体科技股份有限公司董事长王世宽一行来访无锡高新区。无锡高新区党工委书记、区委书记崔荣国与吕光泉、王世宽一行会谈交流，并共同出席尚积半导体薄膜和刻蚀设备研制基地项目签约活动。无锡高新区党工委副书记、新吴区区长顾国栋，区领导华艳红、吴炜，拓荆科技股份有限公司副总裁徐鼎参加活动。
崔荣国对吕光泉、王世宽一行的来访表示欢迎，对项目签约表示祝贺。他表示，无锡高新区始终把集成电路作为战略性新兴产业发展的重点之一，持续深耕半导体设备、功率芯片及先进封装三大核心赛道。依托日益完善的产业链生态，无锡高新区布局了新港集成电路装备零部件产业园等专业化载体，投用了无锡半导体装备与关键零部件创新中心、集成电路设计企业孵化器等创新平台，并集聚了省市级半导体实验室、公共检测平台等配套服务机构，产业基础扎实、支撑体系完备。此次项目的落地，将有力推动半导体设备国产化替代进程，为无锡高新区半导体产业高质量发展注入强劲新动能。无锡高新区将秉持“无难事、悉心办”的服务理念，以最大诚意、最优服务、最高效率，做好项目各项前期工作，强化“拿地即开工”服务保障，确保项目按期开工、早日投产达效。
王世宽表示，无锡高新区产业配套完善、创新生态活跃。此次项目的签约落地，是双方深化合作的又一重要里程碑。尚积半导体将全力加快项目建设，深度聚焦半导体制造前道关键工艺，围绕薄膜沉积与刻蚀两大核心设备领域，持续开展技术攻关与核心工艺突破，积极引聚链上企业，加快高端装备在先进制程中的国产化替代进程，与无锡高新区携手共建自主可控的半导体产业生态。
无锡尚积半导体科技股份有限公司成立于2021年，是一家专注于半导体薄膜沉积与刻蚀设备研发及制造的国家级高新技术企业。企业核心产品覆盖PVD、刻蚀、CVD等前道关键设备，关键核心部件及技术实现100%自主可控，其中PVD设备在MEMS及功率半导体市场的占有率稳居行业第一。此次签约项目计划总投资超10亿元，用地60亩，达产年预计形成年产薄膜沉积设备200台、刻蚀设备50台的产能。
编辑 | 李幼优
文字 | 曾丽
来源 | 区科工局、空港经开区（硕放街道）
图片 | 无锡高新区融媒体中心
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