湖北
2026年8月27日，SK海力士在美国印第安纳州西拉斐特举行新先进封装工厂奠基仪式后，公司首席执行官郭鲁正（Kwak Noh-jung，上图）在记者会上明确表示，受人工智能（AI）应用爆发式增长驱动，当前全球内存芯片供应短缺局面预计将持续至2030年底，目前市场尚未出现任何明显的放缓信号。
郭鲁正指出，这一判断基于对客户需求与产能匹配情况的审慎评估。他强调，任何最终的供应缓解都可能以逐步调整的方式实现，而非重现以往内存市场常见的剧烈价格暴跌或供需急剧逆转。这一表态将此前公司关于大宗DRAM供应紧张可能延续至2028年的预测期限进一步延后，凸显了AI时代内存市场结构的深刻变化。
据悉，SK海力士此前基于传统大宗商品属性的内存市场特征，曾预估供应压力在2028年前后有望缓解。然而，郭鲁正此次明确将时间窗口推至2030年末，并强调现阶段内存产品已不再是纯粹的标准化大宗商品。在AI驱动的需求背景下，客户正加速转向定制化DRAM与高带宽内存（HBM）配置。这种定制化趋势使制造商能够更精准地预测未来需求，从而显著降低了以往因突然供过于求而引发市场崩盘的剧烈波动风险。
郭鲁正进一步阐述称，过去内存业务本质上近乎100%属于标准化商品，各厂商在景气高涨时竞相扩产，往往难以准确预测需求并及时调整产量，导致周期波动剧烈。而当前以HBM为代表的AI相关产品，则需要客户与厂商从早期研发阶段即展开深度合作，产品形态日趋定制化。
这一转变使得市场需求更易被提前预判，即便未来出现下行压力，需求更可能呈现缓慢放缓或平台整理态势，而非急剧下滑。他表示，公司对2030年之后的市场前景并不感到担忧，并预期届时供需将逐步趋于平衡，同时整体AI产业仍将持续增长。
关于新工厂的具体定位，郭鲁正澄清，该印第安纳州西拉斐特工厂本身不会增加晶圆产能，因为它是一个专注于封装与测试的基地，而非前端晶圆制造厂。先进晶圆将继续在韩国生产，随后运往美国进行HBM4E等新一代高带宽内存的封装与测试。
工厂洁净室运营计划于2028年下半年启动，并预计于2029年第三季度实现量产。该项目总投资超过40亿美元，建成后将成为SK海力士在美国的首个HBM先进封装生产基地，预计在商业运营阶段雇佣约1000名员工，并间接创造数千个就业机会。工厂还将配套建设先进封装研发试验平台，便于与客户、大学及合作伙伴协同开发下一代封装技术。
对终端消费者与下游产业而言，这一长期短缺预期意味着DRAM与NAND闪存价格短期内不太可能出现实质性缓解。个人电脑、图形处理器（GPU）以及游戏主机等产品的内存成本，预计将在未来数年内维持高位运行。AI服务器与数据中心对高性能内存的持续强劲需求，进一步挤压了传统消费电子领域的供应份额，导致汽车、智能手机及PC等市场均感受到供应压力。
行业观察人士指出，SK海力士目前在全球HBM市场占据领先地位，其产能扩张重心高度集中于高附加值的定制化产品。客户正积极签署长期供货协议，以锁定未来数年的供应安全。这一行为本身也印证了市场对短缺局面将长期延续的共识。郭鲁正同时表示，公司对在美国进一步投资保持开放态度，但目前尚未有具体决定，将综合考虑电力、水资源、人才及政策激励等因素。
总体来看，郭鲁正的最新表态不仅强化了市场对AI驱动内存超级周期的信心，也提示产业链各方需为更持久的供应约束做好准备。随着定制化趋势深化与产能逐步落地，内存行业有望在2030年后迎来更为平稳的供需再平衡，但短期内价格与成本压力仍将持续。
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