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在之前的FMS 2026峰会上，三星公布了面向下一代AI基础设施的存储技术路线图，并首次展出zHBM、zNAND-O概念模型及业界首款V10 BV-NAND闪存，全面展示了其在AI时代的存储创新实力。
据TrendForce报道，近日三星在SEMICON Taiwan 2026大会上，带来了有关下一代HBM和zHBM的最新细节。
三星表示，HBM5的目标是性能是2倍于HBM4E，而且有着20%的每瓦性能提升，另外将伴随着热阻降低20%，让HBM5能够更好地应对日益强大的AI加速器产生的热量。传闻三星为HBM5准备了12层、16层和20层堆叠的产品，基础裸片（Base Die）也将采用2nm工艺，预计2028年左右开始量产。
zHBM是上次活动的核心亮点，通过先进晶圆键合技术将高带宽内存（HBM）垂直堆叠于AI加速器上方，能大幅缩短数据传输路径。三星称，zHBM的目标性能和每瓦性能分别是HBM4E的8倍和3倍，另外热阻将降低75%至90%，预计2029年后推出。
在NAND闪存领域，三星也在开发下一代技术。之前公布的zNAND-O概念模型目标2028年推出样品，旨在能够提供10倍于DRAM的大规模数据存储密度，同时相比于普通NAND闪存有高出7倍的读写带宽及能效。
三星还介绍了下一代存储的“CUBE”框架，未来存储战略将围绕四个重点展开，分别是：容量、利用率、带宽和效率。
三星希望能够在垂直方向扩展容量，而不需要扩大PCB的占用面积。三星认为3D存储芯片不仅仅在于堆叠层，还需要优化架构以及逻辑和存储芯片的布局，以降低延迟。通过用垂直高速通道替代水平数据路径，缩短芯片之间的距离。此外，功耗和热管理也要跟上，以最大限度地减少数据传输所需要的能量，提升每瓦性能指标。
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