湖南
很多人不知道的是，早在2006年，ASML就推出了EUV光刻机的原型 Alpha 演示样机，给了IMEC、美国奥尔巴尼纳米中心等科研机构进行测试。
但直正商用交付的话，则是2010年，对外出货第一台 NXE:3100。
这一代的EUV光刻机，也称之为Low NA EUV，因为它的NA也就是数值孔径只有0.25，并且也没有真正用于大规模的芯片制造，更多还是测试
直到2013年，ASML开始交付NXE:3300，将NA提升到了0.33，EUV光刻机才算是真正开始走向芯片的生产验证，从此开启了EUV时代。
从2013年到2025年，ASML靠着NA=0.33的EUV光刻机，垄断了全球先进工艺制造工艺，奠定了其王者地位，大赚特赚。
像台积电、三星、intel等，谁想制造7nm及以下的芯片，都要找ASML买EUV，没有例外。
而EUV也助推着芯片工艺从10nm，进入到了7nm、5nm，最终进入了3nm。
进入到了3nm之后，ASML发现这个NA=0.33，还是小了一点，导致芯片制造时分辨率不太高，还需要进行多重曝光，于是又研发，推出了High NA EUV，将NA从0.33提升到了0.55。
在ASML的计划里，NA=0.55的EUV光刻机，制造2nm芯片时，更为得心应手，分辨率更高，这样造芯效率更高，良率也会更好一点。
英特尔、三星们毫不犹豫就下单了，只有台积电还没有下单，但估计也快了，毕竟NA=0.33的EUV，制造2nm芯片时已经吃力了，后还还有1.4nm，不信台积电不下单。
而近日，比利时微电子研究中心（imec），又发布了一份报告称，随着芯片工艺的不断提升，而NA=0.55的EUV光刻机，能够支持的芯片工艺，大约就是到A5的精度，也就是0.5nm左右的水平。
而按照对方的预计，这个0.5nm的工艺，大约会在2036年左右推出。
而到了2038年，就会进入到A3时代，也就是0.3nm时代，但这个时候，这种NA=0.55的EUV光刻机，又不够用了，NA还要再提升才行。
按照IMEC的说法，到时候需要推出NA=0.75的EUV光刻机，也就是Hyper NA EUV了，因为芯片工艺进入到0.3nm时，0.55NA的High-NA EUV也将面临瑞利公式的物理极限，反正是造不了。
而这也意味着，只要目前芯片工艺依然还要依赖光刻工艺，那反ASML还能够稳定的赚12年，直到2038年，这期间，不管是台积电、三星，还是intel们，只要谁想要芯片工艺前进，就得找ASML买NA=0.55的EUV光刻机。
之后，就得再换成NA=0.75的 Hyper NA EUV光刻机。
不过，关于NA=0.75的Hyper NA EUV光刻机，目前ASML也没有把握了，之前ASML的CEO就称，也许Hyper NA EUV光刻机永远研发不出来，因为NA=0.75太难了，就算研发出来，成本也会超过10亿美元，到时候真的还会有厂商愿意买么？
还有就是国产EUV光刻机也必须突破才行，否则当别人进入到0.3nm了，我们还在原地踏步，这可不行啊。
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