蔡司半导体CEO直言，中国研发出EUV光刻机还需要15年！这是阿斯麦独家供应商首次量化差异！网友：

近日，蔡司半导体业务负责人Frank Rohmund在接受彭博电视采访时，谈到中国极紫外光刻机研发进度。他表示，中国造出EUV光刻机可能还需要约15年。这一判断被他定义为“合理的假设”，不是确定时间表。

蔡司是ASML EUV光刻机光学系统独家供应商，ASML是目前全球唯一量产EUV光刻机的公司。Rohmund的身份让这番话受到关注。蔡司为EUV设备提供镜头、反射镜、照明系统等核心光学部件，与ASML深度绑定。ASML持有蔡司半导体制造技术部门约24.9%股权。全球大量芯片制造环节使用蔡司光学元件。因此，这家公司的判断有行业权重。

EUV光刻机是一个超复杂系统工程。设备包含超过十万个精密零件，涉及13.5纳米极紫外光源、真空环境、超高精度的反射光学系统、掩模、工件台、控制软件、量测与工艺匹配。ASML从上世纪90年代中开始推进EUV，到首台可量产设备落地，经历约二十年。外界以专利、产业链和工程进度作参照，认为中国当前EUV技术成熟度大概处在较早阶段。蔡司给出的15年，建立在外部技术限制、供应链重建难度和工程验证周期之上。

但Rohmund补充，15年不代表确定时间，只是一种基于行业的判断。他还提到，如果出口管制扩大至传统深紫外DUV设备，会加速中国的创新。

这一态度与ASML方面过往表态接近：限制不会带来正面效果，反而推动替代研发。

近期有报道称，上海一家公司已在制造浸没式DUV光刻设备。Rohmund回应，蔡司和ASML仍然遥遥领先，但需要继续观察这些设备实际具备的能力。

这句话承认进展存在，也指出从设备制造到产线验证、良率、稳定性、产能和客户认证，中间有距离。

中国半导体设备正在分层推进。EUV还处长期攻坚阶段，离商用、高良率、稳定量产线验证还有较长路程。

DUV尤其是浸没式DUV，是更现实的中短期方向。该方向关系成熟制程和部分先进节点。国产设备需要从能用走向好用，积累工艺数据、供应链一致性和现场服务生态。

网友们对此观点也是有不同的看法。

有网友称EUV之后硅基芯片工艺将到头，对方最多只有约15年领先窗口。

也有网友认为过程很难，但中国肯定能解决，而且用不了15年。

有网友评论认为蔡司看法符合市场预期。

也有评论给出3到5年的乐观估计，如果是EUV的商用化，时间偏快；如果是部分DUV国产化或子系统进展，就会更接近现实一些。

当前真实格局是ASML与蔡司在EUV及高端DUV上保持领先，中国在本土设备链上持续投入，DUV突破更近，EUV是长期硬仗。

正如网友所说：“这个过程肯定很难，但我们肯定能解决，而且要不了15年。”

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