北京
分享至
IT时代网9月5日消息，国内半导体设备龙头北方华创近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在3D DRAM制造工艺上取得技术突破，开发出一种两步循环刻蚀工艺，有望绕过EUV光刻机封锁推进3D DRAM自主量产。
3D DRAM将晶体管从二维平面转向三维垂直堆叠来提高存储密度，被视作DRAM技术演进的下一阶段。北方华创的方案针对硅与硅锗交替堆叠的64层结构：第一阶段用电中性氟自由基对硅锗层定点刻蚀，第二阶段引入反应气体清理底部副产物，确保刻蚀气体垂直纵深穿透。
论文数据显示，该工艺实现超过500:1的硅锗与硅刻蚀选择比，20纳米夹层结构中硅层单次损耗控制在10埃以内，64对交替层堆叠结构均匀度超过95%。业界分析认为，长鑫存储若整合国产刻蚀设备与相关工艺，将大幅提升3D DRAM自主量产的可行性。
注：本文中包含AI辅助创作的内容。
责任编辑：陈砚秋
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
