河北
（AI云资讯消息）英特尔近期火力全开，最直观的体现便是其持续加快尖端 14A 工艺的试产时间规划：先是将量产试产时间从 2028 年提前至 2027 年下半年，如今再次确认该工艺预计于 2027 年启动试产。
此前曾报道，英特尔 2026 年第二季度财报电话会释放出两大关键信息：14A 制程风险试产进度提前至 2027 年，同时英特尔有信心在明年大幅上调资本开支，这也侧面反映其已拿到确定订单。
有消息称，英特尔 CEO 陈立武透露，14A 制程将于 2027 年第一季度启动风险试产。而 18A-P 制程目前已进入风险试产阶段。
进度提前并不出人意料。据报道，14A 制程在 2026 年 6 月缺陷密度已达到 0.5，英特尔的目标是在 2027 年第一季度将 D0 值降至 0.1~0.2。D0 即缺陷密度，是衡量硅片单位面积上检出的微观瑕疵数量。当某一芯片制造工艺接近商业化阶段时，缺陷密度通常会大幅下降，良率也会随之提升。
英特尔 14A 属于 1.4nm 级芯片制造工艺，核心技术包含两项。一是 RibbonFET 2 晶体管与第二代全环绕栅极（GAA）架构，该架构可对尺寸持续缩小的晶体管实现更精准的静电管控，提升驱动电流，同时把漏电控制到更低水平。二是名为 PowerDirect 的背面供电系统，这套方案将供电线路全部转移至硅片背面，让硅片正面的布线资源留给数据信号传输，从而降低电路电阻，进一步提升芯片集成密度。
与此同时，据证券分析师透露，基于 Panther Lake 芯片系列的数据，英特尔 18A 制程当前良率稳定在约 80%。该分析师还预测，英特尔 14A 制程 2027 年月产能可达 6000 片晶圆，到 2028 年月产能将提升至 24000 片晶圆。
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