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9月29日消息，昨晚长鑫科技发布公告称，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。
上述项目投资总额分别为241亿元和108亿元！
长鑫科技表示，构筑并维持核心竞争力与长远发展的根本，在于坚定不移推进产品与制程工艺迭代升级。面对复杂的产业格局和技术路径，公司必须依托持续研发投入，驱动工艺技术代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断实现质的飞跃。
因此，公司拟通过实施超募项目开展技术研发，在保持技术领先性的同时，更快推出满足市场需求、性能更好、竞争力更强的产品，以增强核心竞争力及抗风险能力。
测试是DRAM生产中不可或缺的关键环节。因其测试专用设备特性，随着公司产能不断提升、产品种类增多，可能面临外部封测厂测试产能不足和新增投资配套不足的问题。
长鑫科技表示，为保障测试产能不成为公司产能制约瓶颈并保障供应链安全，公司急需增加自建测试产能投入。同时，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低DRAM芯片测试成本，提升运营效率和测试技术，有利于进一步完善IDM模式、增强整体竞争力。
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