两次创业，朱一明撑起中国存储芯片崛起

文 | 刘振涛

工业时代，石油决定了命脉，谁控制了石油，谁就控制了工厂、交通等，主导工业的发展；智能化时代，芯片就是命脉，谁控制了芯片，谁就控制算力、算法、数据等，影响时代发展。

石油是上一个时代的血液，芯片就是下个时代的神经元。存储芯片，是智能化时代的“工业粮食”，更是一国科技产业的核心命脉。

长久以来，全球存储产业被海外巨头牢牢垄断，国内行业长期深陷“能画图、难造芯”的尴尬困境：有科研设计能力，却无自主量产工艺，产业链关键环节始终受制于人。

在中国存储最缺突围者的时代，没人能想到，曾经在盐城街头奔跑的男孩，四十年后会让“中国芯”多出两张可以叫板全球巨头的王牌。

那个男孩就是朱一明。他两度创业、两次破局，一手造设计、一手造制造。从创办兆易创新打破闪存垄断，到深耕长鑫科技攻克晶圆炼晶难题，他以一人两次躬身入局，带领国产存储完成从纸面蓝图到实体量产的跨越式崛起。

一次绘芯于图纸，一次炼晶于工厂，两次跨越、两段征程，撑起了国产存储的崛起之路。

打造兆易创新——纸上绘芯，打破NOR闪存垄断

朱一明出生在江苏盐城的普通家庭，从小便展现出极强的理科天赋。17岁时，他成功考入清华大学物理系。在清华求学期间，浓厚的工科科研氛围、九十年代国内半导体“缺芯少魂”的行业现状，让他的认知悄然转变。

他意识到，基础科研筑牢根基，但核心技术产业化，才能真正补齐国家产业短板。本科毕业后，他留校攻读工学硕士，深耕集成电路相关领域，为日后造芯之路打下扎实的理论基础。

朱一明硕士毕业后远赴美国深造，在纽约州立大学石溪分校攻读电子工程硕士，精准聚焦半导体存储领域。学成后，他顺利入职硅谷头部存储企业MST，深耕存储芯片研发，凭借扎实的专业能力成为项目主管和核心设计者，参与多款主流存储芯片的研发迭代。

彼时的他，手握高薪、生活安稳，站在了全球存储产业的前沿赛道。但常年深耕行业，他亲眼见证三星、美光等海外巨头垄断全球市场，国内存储芯片自给率近乎为零，核心技术、专利、产能全面受制于人。这份产业落差与家国情怀，让他萌生了回国创业、造中国自主存储芯片的坚定想法。

21世纪初，国内集成电路产业尚处在起步阶段，存储赛道更是短板中的短板，市场、技术、专利全部被海外巨头封锁垄断。国内的设计方案大多止步于实验室图纸，无法落地商用，产业化能力几乎空白。

2005年，朱一明放弃海外高薪岗位与成熟资源，带着多年积累的技术经验、行业视野，以及仅凑到的92万美元启动资金，毅然回国，决心扎根国内存储行业，填补国产空白。

2005年，朱一明在北京创立芯技佳易（兆易创新前身），正式开启人生第一次创业。

多年海外工作的经验技术积累和对国内产业现状的判断，他精准研判赛道，避开海外巨头重兵布局的NAND闪存，选择技术门槛适中、应用场景广泛的NOR闪存作为突破口，这是最适合国产实现从0到1突围的细分赛道。

创业初期步履维艰，初期团队规模狭小、资金紧张，还要直面海外严密的专利壁垒，稍有不慎就会陷入专利纠纷、研发归零。

深耕存储研发多年的他深知，芯片设计没有捷径，为规避海外专利陷阱，他亲自带队打磨每一组电路结构、迭代每一套设计方案，带领团队日夜攻坚，反复开展仿真验证与方案优化。

初期的无数个深夜，朱一明驻守实验室，比对数据、排查漏洞，在一次次试错中完善设计方案。历经数年潜心攻坚，团队终于完成全套自主知识产权的NOR闪存芯片设计，圆满完成国产存储“画图”的关键一步。

2008年，兆易创新推出国内首款自主研发的商用NOR闪存芯片，成功打破海外厂商的长期垄断，填补了国内市场空白。

凭借稳定的性能、高适配性和本土化服务优势，产品快速打入消费电子、工业控制、物联网等主流市场。在朱一明的带领下，兆易创新稳步壮大，逐步成长为全球NOR闪存核心供应商，让国产存储设计能力站稳全球赛道。

2016年，朱一明带领兆易创新敲响了上市的钟声，借助资本市场的力量，兆易创新快速成长。10年后的2026年，兆易创新在AI时代的浪潮中，大放异彩，总市值最高超过3000亿元。

与此同时，2026年初，兆易创新登陆港交所二次上市，A+H的总市值一度突破5000亿元。

即便兆易创新收获成功，朱一明从未止步。他清醒认知自己的短板：兆易的突破仅限于芯片设计环节，核心晶圆制造完全依赖海外代工厂。只懂“画图”、不会“炼晶”，没有自主制造能力。

为此，他心中埋下第二次创业的种子，立志攻克存储制造的终极难题。

铸造长鑫科技——扎根“炼晶”，攻下DRAM难关

NOR闪存赛道的突围，证明了中国拥有顶尖的存储芯片设计能力，但在朱一明看来，国产存储的崛起远未完成。

纵观存储行业，有两大核心赛道，相比于NOR闪存，DRAM内存芯片技术、工艺、资金壁垒更高，它广泛应用于电脑、服务器、终端设备，是数字产业的核心刚需。

彼时，全球DRAM市场被海外三星、SK海力士、美光三家巨头彻底垄断，专利、设备、材料、工艺形成密不透风的壁垒，国内仅有理论设计方案，无任何量产能力，是国产存储最核心的“卡脖子”环节。

看着国内DRAM产业常年空白、完全依赖进口的现状，朱一明下定决心再度出发。彼时的他，已是功成名就的上市公司创始人，身价亿万，完全可以安稳守成，但为国产自主造芯的初心让他选择迎难而上。

他毅然开启第二次创业，目标直指DRAM自主量产，立志带领国产存储完成从“画图设计”到“自主炼晶”的终极跨越。

朱一明经过多方考察与对接，最终选择落地合肥，与安徽国资牵手创立长鑫科技，正式开启国产DRAM晶圆厂的攻坚之路。

相较于第一次轻资产的芯片设计创业，打造晶圆厂是全方位的终极挑战。从零搭建洁净车间、引进精密核心设备、搭建整套制造工艺体系，每一步都举步维艰。

海外巨头深耕DRAM工艺数十年，技术积淀深厚，国内无成熟工艺、无配套产业链、无技术经验，几乎是从零攻坚。巨额的资金投入、漫长的研发周期、极低的试产良率、无处不在的专利壁垒，四重压力压在朱一明与团队身上。

创业最艰难的数年里，朱一明甚至坚持不领工资，将全部精力投入项目攻坚，始终与一线研发、生产人员并肩作战。

“炼晶”之路，唯守坚持。晶圆制造的核心是良率，试产初期，国产设备与工艺磨合不足，晶圆芯片良品率极低，一次次试产失利、巨额成本投入，让项目多次陷入困境。

朱一明没有退缩，扎根产线一线，带领团队逐环节排查缺陷、逐参数调试设备、逐工序优化工艺，在无数次失败中积累经验、打磨技术。同时，他带领团队精准梳理全球专利体系，自主研发全新工艺路线，稳妥规避海外专利壁垒。

历经数年日夜攻坚、持续良率爬坡，长鑫科技终于实现国产DRAM内存芯片稳定量产，成功打破海外巨头的独家垄断，让中国成为全球少数掌握自主DRAM量产技术与产能的国家。

2026年7月，长鑫科技登陆科创板，成为了一家市值超万亿的上市科技巨头。在长鑫科技IPO的招股书中写道，长鑫科技是全球第四、中国第一的DRAM厂商。

长鑫科技的落地投产和上市，彻底补齐了国产存储产业链的核心短板。朱一明一手打造的兆易创新、长鑫科技，形成“设计+制造”的完整产业闭环：兆易突破前端芯片设计，长鑫攻克后端晶圆制造，一软一硬、相辅相成，构筑起国产存储产业的两大核心基石。

从兆易创新到长鑫科技，从纸上绘芯到工厂炼晶，朱一明的两次创业入局，证明核心技术从不会从天而降，国产自强唯有脚踏实地、久久为功。而兆易与长鑫构筑的产业根基，也将持续助力中国存储芯片打破垄断、走向全球，让国产芯的底气愈发坚实。