DRAM均价暴涨60%，南亚科技Q3净利狂飙5474%！

10月12日，DRAM芯片大厂南亚科技召开法说会，正式公布了2026年第三季财报，不仅营收、净利润继续保持环比高速增长，并创下历史新高。毛利率更是达到了85.7%历史新高。南亚科技总经理李培瑛预计，第三季DRAM均价将继续上涨，毛利率仍有上涨空间。

DRAM均价上涨60%，Q3净利暴涨5474%

南亚科技三季度营业收入为新台币1,336.49亿元，同比暴涨611.7%，环比大涨61.9%；毛利达新台币1,144.82亿元，毛利率升至85.7%，环比增加6.2个百分点；营业利润为新台币1,068.94亿元，营业利润率达80.0%，环比增加6.3个百分点；营业外收入为新台币24.38亿元；税后净利达876.27亿元，同比暴涨5,474%，环比大涨117.2%；净利润率为65.6%；每股收益（EPS）为新台币25.40元。

累计2026年前三季，南亚科技税后净利达新台币1,638.77亿元，每股收益为新台币49.28元。截至9月30日，每股净值为新台币118.99元。

南亚科技表示，第三季业绩增长主要得益于AI运算需求推动DRAM市场成长快速增长，带动智能手机、个人电脑跟一般消费型的內存供应受限，当季DRAM平均售价（ASP）环比上涨超过60%。不过，由于DRAM价格持续上涨，导致当季销售量环比减少了中个位数百分比。

虽然南亚科技此前主要聚焦于利基型DRAM市场，但是近年来也在积极开拓AI市场。南亚科指出，目前公司来自包括服务器、网络、储存及系统管理等在内的AI基础设施相关应用的营收占比已经超过20%。

Q4均价将继续上涨

李培瑛表示，随着AI应用领域持续扩大，市场对更高容量、更高带宽，以及定制化内存构架的需求也同步增加。AI带动的DRAM需求已从高带宽内存（HBM）、LPDDR5，进一步扩展至网络、储存及系统管理等应用领域，供需缺口尤其明显。

至于传统DRAM应用市场，李培瑛表示，受到AI需求排挤产能的影响，这一市场正面临更严重的供给不足及平均售价（ASP）上涨的情况。为了应对供应紧缩与成本上升，部分应用端的客户开始采取产品规格降级、降低内存用量及延长产品生命周期等措施，部分低端市场甚至开始使用回收的DRAM，以控制成本、满足需求。

针对DRAM市场价格走势，李培瑛指出，南亚科技第三季DRAM平均售价环比大涨逾60%，主要是因为部分旧有长期供应协议（LTA）于今年6月到期。这些合约多在去年年中或年底协商，当时内存价格相对较低，南亚科也已在6月底前依约完成交货。进入7月后，公司开始适用新一季的合约价格，反映当时市场行情大幅上涨，因此带动第三季平均售价明显成长。

李培瑛指出，目前供给端的库存水位仍偏低，供应商预期通过LTA进行产能与产品组合规划，有助于提升未来供需的稳定度。他还透露，目前已有部分战略合作伙伴还希望通过入股方式确保DRAM产能，但相关合作仍须由双方持续协商，尚未有进一步定案。

展望第四季，李培瑛表示，目前预期DRAM平均售价仍将持续上涨，考虑到现阶段DRAM市场供给依旧吃紧，不同产品组合的涨价幅度也有所差异，部分产品涨幅较大，部分则相对温和。在供需持续紧俏的情况下，公司预期第四季毛利率仍有进一步上升的空间。

5A新厂明年一季度开始装机

为应对客户强劲的需求，南亚科技此前已经宣布今年全年资本支出预计将超过500亿新台币，2027年资本支出超过2000亿新台币（约合62亿美元），这一金额约为今年资本支出的四倍。这些资本支出将主要用于南亚科技新建5A晶圆厂建设，以及新技术和产品研发投入。

今年8月5日，南亚科技董事会通过决议，宣布将新建最高投资上限为3466亿新台币（约107.34亿美元）的5A晶圆厂（是南亚科技第五座12英寸晶圆厂，位于南林科技园区，也被称为“林口5A新厂”）。这不仅是南亚科技历史上最大的一次投资，也是近20年来台湾DRAM行业最大的单项投资。

据介绍，5A晶圆厂将分阶段四年实施，目标是将第一阶段月晶圆产能提升至35,900片，并引入极紫外（EUV）光刻设备，作为下一代DRAM工艺的关键生产基地。未来还将陆续导入1B、1C、1D及1E等先进10nm级DRAM制程。总资本支出预算上限定为3466亿新台币，资金将来自自有资金、银行贷款及其他融资方式。该晶圆厂计划于2027年下半年开始晶圆生产，2028年月产量将达到3万片，2029年达到3.59万片，逐步迈向满产。

在此次的第三季法说会上，李培瑛透露，新厂预计于2027年第一季开始装机，目标在2028年底将月投片量提升至3万片，并于2030年底进一步扩大至每月5万片。

此外，针对屏东科学园的3D晶圆封测厂规划，李培瑛指出，将导入3D IC、硅通孔（TSV）、晶圆键合为主要发展方向，预计2028年下半年开始投片。目前相关投资将完全由南亚科技自行出资，并依据客户需求规划建置。人力配置方面，屏东厂将以生产制造为主，研发工作则主要在北部进行，相关据点位于新北市林口一带。屏东厂将配置足够的制程工程师与设备工程师，南亚科技也会提前展开人才招募及培训工作，以应对未来投产需求。

在DRAM技术布局方面，南亚科指出，第三代10纳米级制程（1C）预计2027年第一季开始客户验证，同步开发的第四代（1D）、第五代（1E）制程及EUV，均持续按计划推进。公司将持续打造多元的产品组合，通过技术开发、产能扩充及先进封测等专业制造整合能力，深化与客户合作，积极布局AI应用。

李培瑛强调，公司未来扩建皆以客户长期合约的AI项目为主要目标。

AI ASIC内存项目已少量出货

目前AI相关营收已占南亚科营收占比超过20%，南亚科技预期2027年至2029年将持续提升。除现有DRAM产品外，南亚科技也正积极拓展AI ASIC相关内存应用。

李培瑛透露，与美西方客户合作的AI ASIC内存项目已开始少量出货，后续将视客户产品开发及市场发展情况，逐步配合扩充产能。相关应用范围可能涵盖云端数据中心，也可能延伸至终端装置，将依客户的市场布局而定。南亚科技将持续配合客户需求，投入相关DRAM产品的研发与制造。

资本支出方面，南亚科预期明年资本支出将进一步增加，主要是因为5A新厂将进入设备装机阶段，相关支出将大幅增加。李培瑛指出，目前南亚科净现金水位约新台币2,700亿元，且仍持续累积，预期明年所需资本支出可由现有自由资金支应，无须额外举债，完成明年资本支出后，仍可维持一定水准的净现金部位。

不惧大陆DRAM厂商扩产冲击

针对中国大陆DRAM厂持续扩产的影响，南亚科技表示，过去十年，中国DRAM业者扩产并未对整体产业造成大幅冲击，未来仍须观察各家业者的实际扩产幅度。目前全球主要DRAM厂商均积极扩充产能，以应对AI带动的需求增长，且多数扩产计划是依据客户长期供应协议（LTA）进行规划，有助于提升整体供需的稳定度。

另外，由于DRAM厂商获利大涨，多家DRAM厂商纷纷向员工提供了引诱的奖金和福利，李培瑛对此表示，公司也将依据整体营运绩效与营运效率决定奖金，其中也会纳入毛利率等指标考察。他还透露，受益于第三季业绩表现优于第二季，第三季奖金水平预期也将高于第二季。

编辑：芯智讯-浪客剑