格灵诺：至暗时刻的SiC真正缺的是什么？

本文约4000
字，建议阅读10分钟

过去两年，SiC产业堪称“至暗时刻”。

作为功率器件的代表，SiC曾在新能源汽车上大放异彩，迎来过不止一轮市场爆发。然而在近两年间，随着前期资本催生的产能跃进集中落地，叠加新能源汽车产业增速放缓，衬底、器件厂商纷纷遭遇降旗转亏，大量VC更是从“见衬底就投”转向“见SiC就摇头”。

然而，暴增的AI数据中心（AIDC）供电需求，又把SiC拉回了产业C位。

AIDC供电换轨，SiC进入新战场

传统数据中心供电过去遵循一条相对成熟的路径。电网中压进入园区后，先经工频变压器降为380V或480V交流电，再通过UPS、配电单元和机架电源完成多次转换，最终形成12V以及芯片需要的更低电压。每一次转换都会产生损耗，也会增加设备数量和故障

在几十千瓦的机柜中，这套架构还能正常运行。可到了如今以英伟达为首的“核弹”GPU机柜里，传统供电架构将面临暴增的电流、铜排体积、能量损耗，堪称撞上“物理墙”。

此前，谷歌、微软、Meta都曾陆续探索过解决百千瓦机柜的供电方案问题；直到2025年5月，英伟达首次公开宣布800V HVDC技术方案，确立了AI数据中心“中压—SST—800V直流—机柜DC/DC”的供电方案，成为AI数据中心配电的共识方向。

在这套方案中，服务器电源（PSU）、固态变压器（SST）、固态断路器（SSCB）等核心器件处在极端的高压、大功率、高频切换环境中，从物理特性来说，SiC几乎成了唯一解法。

尤其是SiC SST固态变压器，它是800V架构中唯一同时承担中压接入、电压变换、电气隔离、功率调度四个功能的核心环节，它的技术成熟度直接决定了800V方案能否落地。

如果把电力比作AI数据中心的“粮草”，卡住SiC几乎相当于“劫粮道”。

坐了几年冷板凳的SiC又再度热了起来。据Yole Group统计，2024年全球SiC功率器件市场规模为34亿美元，预计2030年接近100亿美元，年复合增长率达到惊人的20%。

行业至暗，一版定稿构筑壁垒

2024年是一个对SiC行业谈不上友好的时点。根据集微咨询数据，2024年，国内6英寸SiC衬底的设计产能超过1300万片，全球实际需求只有约150万片，价格从峰值时期的每片5000元跌到不足2000元，击穿了多数厂商的成本线，堪称“至暗时刻”。

在这样的背景下，一家名为格灵诺的SiC初创公司，成立仅两年，却把目光投向了AI数据中心催生的高压赛道，并且多款产品都已跑通测试量产生产环节，引起了行业的注意。

格灵诺从初创开始就瞄准定位在高压SiC赛道，站在巨人肩上的团队看到SiC未来的无限可能，尤其高压SiC的缺口和机会。

站在2026年来看，这一判断和选择不仅是准确的，而且极具前瞻性。

准确押注行业发展脉络的背后，是创始人多年来对SiC与功率半导体产业的长期深耕。格灵诺的两位创始人均来自国际功率半导体行业顶尖巨头。其中，CEO顾东华在半导体行业工作20多年，先后任职于美国、日本和欧洲企业，有全球拥有20+年半导体市场销售及管理经验，熟悉中国及国际市场。曾组建上百人的全球技术、市场及销售团队，深耕芯片、工业及汽车领域，年销售额达数十亿美元。CTO曾光博士在德国获得电力电子博士学位，长期从事高压IGBT和SiC芯片研发和可靠性工作，具备丰富的芯片设计和量产经验。

格灵诺的核心团队更是几乎成建制来自国际头部功率半导体厂商，研发、量产、市场拓展各环节的负责人均具备大厂核心岗位的完整经验，不仅有着成熟的研发、量产、市场拓展经验，更是一支能打硬仗的团队。更重要的是，顾东华告诉硬氪，格灵诺看重的不只是履历，还有价值观的契合：在同一个文化里待过的人，配合起来有天然的默契，执行力也更强。

团队的质量体现在产品落地节奏上，顾东华透露，虽然成立仅两年，但格灵诺的1200V器件都已完成客户验证，包括在SSCB上的应用，并进入小批量产阶段，当前1700V器件已进入送样阶段，更高压的2300V/3300V器件也会陆续在今年年底和明年上半年进入量产阶段。

对于一家2024年成立的fabless半导体企业来说，这个速度几乎堪比“坐火箭”。

顾东华把这种速度拆成三层原因。第一层是市场判断，2024年AI数据中心的电压架构尚不明确，格灵诺甚至在英伟达正式公布800V方案的一年前就提前押注了高压SiC赛道。近25年的半导体和市场经验告诉她，当前，AIDC对SiC的要求与汽车、工业截然不同，敢于正面切入高压环节的公司很少，这需要有足够强的底层技术实力、产品落地实力和团队执行实力等，需要有场景定义能力、器件和系统协同研发能力和高压SiC全链路设计验证能力等。

研发端的效率是另一层原因。优秀、靠谱、成建制的研发团队让格灵诺拥有大量半导体企业稀缺的“一版定稿”能力——在SiC行业的至暗时刻，同行普遍反复流片、烧钱试错，格灵诺凭借系统级芯片设计能力做到一版定稿，显著压缩研发周期、控制研发投入，在行业洗牌中拥有更强的抗周期能力。

还有一层原因是客户需求。当前，在多重因素的叠加下，行业客户对于高压国产SiC供应商的需求非常强烈。格灵诺更关注客户应用痛点，与核心客户深度合作，同步做产品验证和迭代，进一步加速产品落地，远超行业速度。

国内SiC已经从导通电阻、耐压值等规格比拼，转向更看重长期失效率、功率循环、短路耐受、栅氧稳定性和批次一致性等。格灵诺把可靠性验证、失效分析和客户现场工况建模放在产品定义同等位置，用正向设计减少后期改版，用早期客户数据反推规格冗余。三管齐下，才能跑出如今的“格灵诺速度”。

“做有意义的事”

把格灵诺放回产业链中，会看到一种颇为特殊的错位：中国已经在SiC衬底和制造环节建立规模，高压器件的成熟供给仍集中在少数国际厂商手中。

高压SiC的材料、设计、工艺和封装等等都是极具挑战的，高压工况下，漏电、阈值漂移、动态雪崩、热载流子退化效应都会被放大。

具体到AIDC、SST/SSCB场景中，问题更是复杂，长期高频开关、反复电压冲击，器件要扛住几百上千小时的动态应力，静态合格不代表动态可靠。

首先，数据中心7×24满载运行，设计寿命与稳定性要求更是极其严苛。其次大模型训练期间，成千上万颗GPU会同步计算、同步通信，机柜功率可能在毫秒级从约30%负载跃升至满载。单个机柜的变化扩展到数据中心后，可能形成数百兆瓦级的短时功率波动。电源器件既要承受高功率密度，也要应对瞬时的快速负载变化。

IGBT时代，全球能稳定供货高压器件的厂商屈指可数，英飞凌之外主要是三菱、富士等日系厂商；到了SiC时代，高压玩家更少。行业里流传的观察是，目前2300V、3300V能拿到可靠产品的客户，几乎只能找英飞凌。

格灵诺的目标正是这一段空白。公司的定位是锁定800V直流系统每个电压环节的器件定义权。这个目标决定了它的路线选择：以fabless轻资产方式起步，把设计、系统级能力与客户协同做深，生产交给国内外供应链。为了应对高压落地可能快于行业预期的风险，公司在平面、沟槽、超结、JFET等技术路线上都做了充分的储备。

“如果你深入的分析碳化硅这个赛道，从上游材料、器件到生产，再到下游终端客户。中国具备非常完善的产业链优势。”顾东华告诉硬氪，“今天看全球市场好像还很遥远，日本、欧美都有很强的同行，但只要市场在中国，客户愿意跟你一起进行技术迭代，中国企业的生命力就很强。”

除了AIDC外，格灵诺还瞄准了汽车、工业、储能等赛道，但对于深耕产业二十余年的顾东华而言，创业的意义并不是去“卷国内SiC红海”，而是寻找下一代技术方向，真正填补产业空白，“做有意义的事”。

而格灵诺这个名字，也承载了创始人的创业理念。

“格”既是格局，看得到更远的技术发展，精研高压SiC器件；“灵”取自灵活、灵敏，既指向器件的响应速度，也对应敏锐应对市场变化、技术需求；“诺”则是一诺千金，对产品、客户，对每一次交付的信守承诺。

格局、灵敏、承诺，三个字分别落在技术、服务与信用上，构成这家公司的核心理念——技术上无限接近国际龙头，“解难解的题”；服务与成本上建立本土优势，紧贴市场需求。

过去几年，新能源汽车是SiC市场增长的核心引擎，衬底价格战与行业出清让赛道经历了一轮残酷的洗牌；如今800V供电架构的落地节奏，把新的需求曲线递到了器件厂商面前。

中国厂商能否在800V架构放量之前完成器件定义权的卡位，既关乎一家公司的身位，也关乎国产SiC产业链能否从材料领先走向器件领先。

对格灵诺而言，AIDC高压碳化硅新的征程才刚刚开始。