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IT时代网10月21日消息，三星晶圆代工部门将扩展其 8 纳米工艺技术，推出第二代 8LPU+ 平台。
据三星提交给 IEDM 2026 的技术摘要，相较上一代 8LPU，新平台性能提升一成二、功耗降低一成半、芯片面积缩小百分之八，并通过 ULL-SRAM 与 cHVT 器件降低待机漏电。
与最先进制程普遍依赖极紫外光刻不同，8LPU+ 明确采用无 EUV 路线，继续利用现有深紫外产线，有助于三星避免高昂的 EUV 设备投入，在成熟制程上争取更低成本、更快量产的竞争力。该平台主要面向边缘 AI、机器人和汽车芯片。
三星计划太平洋标准时间 12 月 14 日在 IEDM 2026 活动中公开演讲。8LPU+ 集成原生 3.3V 平面 I/O 器件，可额外减少约一成的 I/O 面积；其汽车级 1 级 eMRAM 位单元面积约为 0.017 平方微米，相当于每平方毫米约 20Mb 存储容量。
注：本文配图由AI生成。本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。
编辑：林一舟
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