北京
IT时代网10月21日消息，市场调查机构集邦咨询预估，2026 年第四季度 DRAM 合约价格环比上涨约 20%。从涨幅看，相比第二季度的约 80% 和第三季度的约 40% 呈现增速放缓，但 DRAM 市场整体依然处于价格高位，处于供应紧张、需求强劲的周期中。
推动价格上涨的核心因素是人工智能推理需求的持续扩张。更大模型、更长上下文窗口以及不断增长的 KV 缓存需求，正在拉动服务器 DRAM 和企业级 SSD 的容量与带宽需求；同时主要存储器厂商将产能优先投向 HBM 等高端产品，让传统 DRAM 供给更趋紧张。
涨势放缓也有现实原因：前期价格基数已经较高，终端市场购买力有所减弱，而部分长期采购协议中的价格上限正逐步生效，限制了价格进一步快速上涨。
在 HBM 方面，由于供应吃紧，英伟达被指正考虑将 Rubin Ultra 的 HBM 堆叠层数从 12 层降至 8 层。若其他条件不变，单颗 GPU 的 HBM 容量将减少约 33%，但同样的 DRAM 芯片供应理论上可支持多 50% 的 GPU 出货。不过 8 层 HBM 因基础裸片成本占比更高，2027 年每 Gb 成本预计反而比 12 层高出 10% 至 20%。
注：本文配图由AI生成。本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。
编辑：林一舟
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