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据上交所网站，5月27日，长鑫科技科创板IPO获上市委会议通过。
长鑫科技此次IPO拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目等项目。
这是科创板史上第二大IPO，仅次于中芯国际(首发募资532.3亿元)。
长鑫科技此前预计：公司2026年上半年实现营业收入1100亿元至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；实现归母净利润500亿元至570亿元，同比增长2244.03%至2544.19%。
自成立以来，长鑫科技共历经九轮融资。截至招股书签署日，长鑫科技共有60名机构股东。
公开资料显示，长鑫科技专注于DRAM（动态随机存取存储器）的设计、研发、生产和销售。目前，该公司已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局，并可提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多样化的产品方案，可以有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求。目前，公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。
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