国际分析师：中企拿落后设备造先进芯片，所以美国怕中国掌握EUV

前沿导读

据媒体报道指出，美国商务部长对ASML提出质疑，认为其违规出口给中国EUV光刻机。但该说法遭到了ASML的否定，并且ASML解释称EUV光刻机的体积大，产量有限且需要技术人员维护，从未向中国出口过相关产品和配件。

彭博行业研究的分析师对此指出，中国企业越来越有能力利用传统工具制造更加先进的芯片，这种工程技术上面的进步是引起美国部门担忧的真正原因，而并非是因为ASML在出口管制上面出现了疏漏。

技术路径

如今的半导体产业形成了三条发展路线：

第一条是由台积电这个晶圆制造的行业龙头所引领的技术路线，主要使用第一代EUV光刻机制造芯片，对ASML制造的第二代EUV持保守态度。目前台积电只是采购了一台第二代EUV进行研究，并未在芯片制造上面大规模使用，其主要原因是因为第二代设备的价格昂贵，对于台积电来说不划算。

第二条则是由三星、英特尔这两个仅次于台积电的“老二”所主导的尖端设备路线，两家企业斥巨资采购ASML的第二代EUV光刻机，试图用最顶级的设备来缩短与台积电之间的技术差距。

英特尔在2024年4月宣布第二代EUV光刻机已经安装完成，未来14A工艺（1.4nm）的芯片将会成为首批采用第二代EUV光刻机制造的产品。

三星则是在2025年10月宣布投入1.1万亿韩元引进两台第二代EUV，为三星后续量产SF1.4工艺（1.4nm）的芯片储备资源。

第三条则是由中国本土企业所主导的技术路线，由于无法采购到商用级别的EUV光刻机，中国企业当下制造先进芯片的设备还是以此前采购的老旧设备为主。尽管在制造设备上面存在落后，但是中国企业正积极通过行业内已知的技术思路来提升芯片制造水平。

采用DUV光刻机，通过自对准多重图案化技术制造先进芯片，这是行业内很多企业都尝试过的方法。

比如台积电在2018年发布的第一代7nm（N7）工艺，采用的就是以上方法实现量产。而台积电在2019年推出的第二代7nm（N7+）工艺，则是将此前的DUV技术全面切换到了EUV技术，后续的5nm、3nm均是在EUV的基础上进行发展。

英特尔则是在2023年的Intel 4（7nm）工艺节点才引入EUV光刻机，此前的Intel 7（10nm）工艺则是采用了DUV光刻机和自对准多重图案化技术。

虽然Intel 7工艺与台积电的第一代7nm相近，但英特尔当时宣传的是10nm工艺，直接被台积电的7nm工艺在命名上面压了一头，后来英特尔才将10nm工艺命名为Intel 7。工艺技术都差不多，但是技术命名不如人家看起来先进，英特尔被台积电“摆了一道”。

而中国大陆地区的芯片制造业务也已经达到了台积电和英特尔此前的技术水平，掌握了使用浸润式DUV光刻机和自对准多重图案化技术来制造先进芯片的能力。但是在向下发展的过程中，技术瓶颈明显，芯片性能无法达到EUV的水平。

在这种条件下，华为提出了韬定律和逻辑折叠技术。

在不依赖EUV光刻机的前提下，通过对计算单元的电路布局进行堆叠设计，以此来提升芯片的性能和晶体管密度。这是一种在没有EUV设备的情况下，可以继续提升芯片性能的一种备用方案。

设备瓶颈

EUV技术被普遍认为是制造先进芯片，提升芯片性能的核心技术之一。使用EUV光刻机制造出来的芯片，例如苹果在2026年发布的M5 Max CPU，其最高核心频率为4.61GHz。高通在2026年发布的骁龙8 Elite Gen 5领先版，其核心频率最高已经达到了4.74GHz，性能优势明显。

根据华为官方放出来的技术演进路线，麒麟芯片在2030年的核心频率将达到4.3GHz，2031年将突破至5GHz，这完全是处于没有EUV技术的情况下所衍生出来的芯片性能目标。

如果只看实际产品，那么麒麟芯片对比竞品处于一种性能落后的局面，甚至官方预计在2031年才能有比较显著的性能升级。但是如果将麒麟芯片的发展趋势与这几代的麒麟芯片相比，可以算是跨越式的技术升级了。

在没有EUV设备介入的情况下继续提升芯片的性能指标，其他厂商也都尝试过类似的技术思路，但无外乎都是在封装阶段进行3D堆叠，并没有与华为一样在计算单元上面进行修改，而且还面临着散热的问题。

逻辑折叠技术的出现，是中国芯片产业对于技术方向的一次革新。从最初的EDA设计层面入手，在不依赖尖端设备的情况下提升芯片性能，这不只是需要华为在软硬件层面进行优化，还需要国产供应链体系在制造上面进行支持。

此时美国对ASML提出质疑，认为其违规将EUV相关的技术出口给中国企业，试图用这种毫无证据的方法来强行“解释”中国芯片产业可以持续提升技术的原因。宁可怀疑盟友国企业违规，也不愿承认中国在自主技术上面做出的努力。