长鑫科技冲刺科创板，从亏损192亿到盈利71亿，国产DRAM盈利拐点能持续吗？

备受关注的国产DRAM（设备运行内存，断电数据清空，服务器、手机刚需）第一股长鑫科技，距离登陆资本市场仅一步之遥。

自2025年12月科创板IPO获受理以来，长鑫科技仅用约7个月时间便完成审核、注册及发行准备，并于7月16日正式开启科创板IPO网上、网下申购，上市进程明显加速。

这家承载国产存储芯片突破希望的企业，也在上市前夕交出了一份截然不同的成绩单。

招股书显示，2023年至2025年净利润分别为-192.25亿元、-90.51亿元、71.44亿元。对于一家长期依靠资本投入追赶海外巨头的存储芯片企业而言，或意味着其国产DRAM业务进入商业化兑现阶段。

不过，这轮盈利增长能否持续，才是市场关注的焦点。

长鑫科技董事长朱一明在7月15日投资者交流会上对《凤凰WEEKLY财经》表示，2025年下半年以来，公司业绩增长受益于AI驱动的DRAM需求爆发以及行业供需紧张，但DRAM行业具有强周期性，价格波动较大，AI发展对市场需求也存在不确定性。若宏观经济发生不利变化、AI需求不及预期或新产能集中释放，行业仍可能重回下行周期。

“行业周期负责点火，公司能力负责把火变成利润。”汇生国际资本总裁黄立冲表示，判断盈利变化是否可持续，不能只看今年存储价格，还要继续观察单位成本、先进产品收入占比以及经营现金流。

已具备盈利能力，能否摆脱周期影响？

存储芯片属于重资产行业，周期性极强，DRAM市场长期由三星、SK海力士、美光几个寡头把控，行业盈利高度依赖供需与产品结构，当前高端 DDR5、HBM 为利润核心。

长鑫是国内唯一实现DRAM量产的厂商，早年依托DDR4完成国产替代起步，目前主力生产 DDR5、LPDDR5X，同步推进HBM研发，老旧DDR4逐步收缩。

过去几年，全球存储芯片市场经历了一轮深度调整，价格下跌、库存高企是行业共同承受的压力，长鑫科技也受到影响。

招股书显示，截至2025年12月31日，其累计未弥补亏损达到366.5亿元，原因为包括DRAM行业规模导向明显，需要持续提升产能规模，同时晶圆厂建设带来的固定资产投入和折旧压力较高。

随着存储周期反转，长鑫科技盈利能力已快速修复。

招股书显示，2025年，其收入增长主要来自两方面：一是DRAM产品价格上涨，二是产销规模扩大以及产品结构优化。其中，长鑫科技主要DRAM产品平均销售单价同比上涨33.69%。

“行业周期只是盈利改善的外部因素，公司自身能力提升决定了利润能否真正兑现。”黄立冲认为，如果只有涨价，没有产品、产能和成本能力，利润也不会如此快速释放。

招股书显示，2025年长鑫科技DDR产品单位价格上涨61%的同时，单位成本下降26.26%；LPDDR产品单位价格上涨24.46%，单位成本下降22.85%。长鑫科技综合毛利率已经从2023年的-1.93%，提升至2025年的40.99%，接近三星、美光等海外厂商水平。

在黄立冲看来，这说明规模效应、良率提升、精益生产以及产品结构升级正在发挥作用，高毛利DDR5产品快速放量也是盈利改善的重要因素。

图1：主要产品毛利率变动分析截图

但盈利能力提升并不意味着长鑫科技能完全摆脱周期影响。

DRAM行业价格波动剧烈，企业需要面对高额固定成本压力。招股书显示，2023年至2025年，长鑫科技固定资产折旧分别为105.55亿元、148.75亿元和246.8亿元。

“穿越周期不是每个年份都保持高利润，而是在行业低谷少亏、不失血，研发不断档，在行业复苏时能够比上一轮更快释放利润。”黄立冲称。

跨越“从零到一”，与三星美光有差距

招股书显示，长鑫科技拟通过科创板IPO募集资金295亿元。其中，75亿元用于晶圆制造量产线技术升级，130亿元用于DRAM技术升级，90亿元用于前瞻技术研发。

这意味着，上市并非只是一次融资，而是长鑫科技进一步追赶海外巨头的重要节点。

图2：长鑫科技募集资金运用截图。

长鑫科技董事长朱一明在7月15日投资者交流会上表示，长鑫科技产能规模已位居中国第一、全球第四，并在合肥和北京拥有三座12英寸DRAM晶圆厂。随着DDR5和LPDDR5/5X等产品正加速渗透下游市场，服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车以及其他多元应用场景的持续发展，DRAM市场需求持续增长，募投项目具有良好的发展前景。

但放眼全球市场，长鑫科技仍处于追赶阶段。

数据显示，2025年第四季度，长鑫科技全球DRAM销售额市场份额约为7.67%，而三星、SK海力士、美光分别占据33.96%、34.48%和23.41%。

国联民生证券认为，长鑫科技借科创板IPO拟募295亿元启动大规模扩产，当前其产能规模与海外巨头差距显著，现有产能已接近满产，中长期多基地推进布局的情况下，Semianalysis预测公司2028年全球市占率达17%，对标海外大厂产能体量，长鑫后续扩产增量空间大。

黄立冲也指出，长鑫科技已经跨过了国产DRAM“从零到一”的阶段，但距离成为全球头部厂商仍有差距。“有技术但没有良率无法形成商业利润；有产能但成本过高，行业下行时就会承受巨大亏损。”

在黄立冲看来，长鑫科技下一阶段最需要补齐的是先进工艺的大规模稳定量产能力，核心体现在良率和每比特成本（生产1个比特bit数据存储容量所需要花费的成本）。同时，长鑫科技还需要提升高端产品组合、全球客户资源以及先进封装等能力。

AI推动下，需证明高端竞争能力

“市场份额增长并不是唯一目标，更重要的是市场份额增长同时伴随技术代际提升。”黄立冲表示。

随着AI产业快速发展，存储芯片正在成为新的竞争焦点。

AI服务器对于内存容量、带宽以及低功耗能力提出更高要求，推动DDR5、高性能内存以及相关存储产品需求增长。对于存储企业而言，AI不仅带来需求增量，也正在改变行业竞争格局。

事实上，海外存储巨头近年来正通过HBM等高附加值产品布局AI市场，以降低传统DRAM周期波动带来的影响。

相比之下，长鑫科技则处于向高端存储突破阶段。招股书显示，目前公司AI相关收入占比仍相对较低，且未披露HBM已经形成规模收入。黄立冲认为，未来一段时间，长鑫科技增长仍主要依赖DDR4向DDR5升级、LPDDR4X向LPDDR5/5X升级，以及国产化率提升。

“AI决定行业天花板，传统DRAM升级、工艺良率和成本能力决定长鑫能不能真正爬到这个天花板。”在黄立冲看来，长鑫科技需要在保持规模制造优势的同时，进一步提升高端产品竞争力，才能获得更大的市场空间。

“AI浪潮显著拓宽了存储行业成长空间，重塑了行业增长逻辑。”艾媒咨询集团CEO张毅也表示，未来长鑫科技需要依托传统DRAM迭代与AI高端存储研发“双线布局”：短期通过DDR5产品结构升级稳固基本盘、提升盈利质量；中长期则需要推动HBM等AI高附加值存储产品产业化落地，这将成为公司进一步缩小与国际头部企业差距的重要方向。