新股王登顶，时代变了

唯物的中国芯片产业深度观察

新“股王”诞生。

7月27日，长鑫存储母公司长鑫科技集团在上海证券交易所科创板挂牌上市。截至今日收盘，长鑫科技报每股49元，总市值超3.27万亿元，位列A股总市值第一位——超过工商银行（2.04万亿元）、农业银行（2.03万亿元），市值约等于2个贵州茅台（1.62万亿元）。

作为中国第一、全球第四的DRAM存储芯片制造龙头，长鑫存储上市备受瞩目。

其发行价8.68元/股，引入超额配售权后募资总额近670亿元，是科创板开板以来历史规模最大的IPO，也是A股历史上最大的科技股IPO。

长鑫科技上市首日高开471.59%

近一个月A股跌宕起伏，21日“深V”反弹后，24日再度3800点收盘。长鑫科技的开门红带来了好兆头。

如今市场能不能在3800点“筑底成功”并借势反弹，成了人们最为关心的头等大事。

大洋东西，科技股震荡

长鑫科技登陆科创板，首日刷新了多项A股历史纪录：成为A股首只开盘市值破3万亿的科技股，开盘总市值约3.31万亿元；登上科创板市值榜首，超越中芯国际成为科创板市值最高上市公司；作为A股首只单日成交额突破千亿的个股，上市首小时成交超1000亿元，全天交易超1400亿元。

长鑫科技也是A股首只千亿成交额叠加超60%换手率的新股，巨量成交与高换手并存，交投活跃度空前。

长鑫科技的喜人形势，很可能成为科技板块结构性行情的催化剂。

7月以来，A股的科技成长股遇挫，创业板指、科创50本月跌幅均超20%。

7月17日，A股科技赛道遭重挫

同期，美股科技股也遭遇重挫。

纳斯达克指数月内录得超4%跌幅，美股“科技七子”在7月23日单日总市值跌去近9000亿美元，美光科技等热门内存股、芯片股跌幅甚至高达25%以上。

美股科技股暴跌，叠加多种因素。两家大公司的二季度财报令人失望，谷歌母公司Alphabet的AI资本开支大幅翻倍，特斯拉利润不及预期；美军与伊朗爆发新一轮冲突，原油等能源成本再升，美联储降息路径引发市场担忧；加上多家科技巨头的估值已经处于历史高位，不少资金涌进抗通胀防御板块。

Kimi K3又给了美股“临门一脚”，动摇了美国AI“高客单价加高资本开支”维持的景气度。

Kimi K3在Arena前端代码竞技场排名第一

作为月之暗面推出的全球首个2.8万亿参数开源模型，Kimi K3在编程等核心指标上直逼硅谷顶级闭源模型，令白宫和美国财政部如坐针毡，指责该模型是对美国Anthropic的Claude模型大规模、隐蔽地“蒸馏”而来，并威胁对中国进行“地缘制裁”。随后，黄仁勋等业界巨头立刻在社交媒体发文，反对美国制裁中国开源模型，意在维护产业“繁荣”。

而存储界的韩国双雄三星和SK海力士，带着韩国股市一路坐上“过山车”——存储芯片价格暴涨，二者领涨股市，让韩国人家庭账面财富增值突破1000万亿韩元；近日双双暴跌，KOSPI指数两度触发熔断。

原因是，华尔街有“半导体死神”之称的摩根士丹利亚欧科技研究主管肖恩·金发布极具杀伤力的“看空报告”，加之海力士美股上市导致“资金搬家”，SK集团会长闹离婚分钱，一股脑“带崩”了韩国股市。

韩国《朝鲜日报》报道截图（网页翻译）

可以说，这场震荡东西太平洋的科技股危机，揭示的是AI产业不得不面对的风险：虚火必须要灭，但信心还是要有。

国内存储芯片巨头长鑫科技，就是在这样动荡不安的背景下正式挂牌上市。

值得一提的是，深度求索创始人梁文峰旗下的幻方量化和九章资产“重仓打新”，通过194只私募产品买入长鑫，合计配售1.75亿元。

“跳代”追赶

长鑫存储是DRAM即动态随机存取存储器的龙头，采取从设计、制造、封装测试到销售的一条龙模式（IDM），也是唯一打破海外技术垄断、实现DRAM规模化量产的中国企业，位列全球第四。

长鑫存储做的DRAM，既覆盖消费电子，也覆盖算力中心。DDR系列，装在PC和服务器里；LPDDR系列，装在智能手机、平板电脑、智能手环里；HBM和“前瞻系列”产品（如3D DRAM和CXL DRAM），正处于研发和产能攻坚阶段，是为算力中心准备的。

这两年，长鑫存储通过“跳代研发”向前追赶。

招股书显示，长鑫在DDR5和LPDDR5升级的产业节点上，采取了激进的跳代策略：跳过了17nm（1Y）中间制程，直接落地16nm（1Z，即长鑫目前的第四代工艺平台）工艺体系，对标国际主流的DDR5内存规格。下一代LPDDR6“抢跑送样”，有望在今年下半年全球首发量产。

长鑫LPDDR5/图源：长鑫存储

另一个技术亮点是VCT垂直晶体管与4F²架构的前瞻技术研发。业内普遍认为，这一路线可在不依赖EUV光刻机的情况下，通过架构创新实现DRAM存储密度的跨代跃升。

2024年之前，长鑫存储因研发费高企，连年亏损。而2025年以来，存储商业进入上行周期，海外三巨头海力士、三星和美光都把产能调给HBM，导致通用DRAM短缺，长鑫适时“填补缺口”，当年扭亏为盈，净利润18.75亿元。2026年第一季度创下营收508亿元、归母净利润247.6亿元的纪录。

长鑫存储的产能处于扩张之中。其在合肥、北京共有3座12寸晶圆厂，随着上海和合肥新工厂扩建，目标是冲刺40万—60万片月产能，预计2030年前总产能超越美光。

2024年10月4日，安徽合肥，长鑫存储产品（合肥）有限公司/图源：视觉中国

今年长鑫存储接连拿下大单。字节跳动提供了为期5年、总价值约475亿元的内存采购合同；包括苹果、戴尔、惠普在内的海外科技巨头正在对长鑫的内存芯片启动供应商认证流程。

虽然突破显著，但作为追赶者，长鑫与三星和海力士仍有不小的客观差距。

一是芯片面积更大。因为缺乏EUV支持，长鑫的同规格DDR5芯片面积比三星高40%，这意味着单片晶圆的切割产出率更低，成本更高。二是HBM领域仍落后约两代（5年左右），HBM3的量产良率存在挑战。

筑墙与铺路

长鑫存储的上市，首先是为中国存储行业提供了“示范效应”，给产业链的安全自主“筑墙”。

筹集到丰厚资金，国内的DRAM产能缺口会快速收窄。海外三巨头过去“控制产能、联合涨价”那一套办法来收割中国下游企业的历史将一去不返。中国在核心内存领域，有了不再受制于人的自主定价权和供应链保障。

同时，长鑫存储作为IDM大厂，做大做强会拉动国内上游企业的业绩，其设备端、材料端的企业比如北方华创、中微公司、拓荆科技、微导纳米、安集科技、江丰电子、鼎龙股份等都将拿到大单，推动半导体生态整体成熟。

长鑫通关科创板，也将提振半导体行业的投资信心，其他存储企业，如闪存巨头长江存储等企业的资本化进程也将加速。

长江存储的3D NAND闪存

其次，放在AI产业，其上市的意义类似于“铺路”。

长鑫量产DDR5，能够为华为昇腾、寒武纪、海光信息等国产AI芯片提供量身定制的本土高规格内存“全家桶”，避免国内芯片“有算力无内存”的局面；为本土AI企业降低大模型研发成本，像字节跳动的大单就是证明，买长鑫的内存可以节省约3成的采购溢价。

尤其是HBM国产化，打破韩国和美国的垄断。一旦HBM3实现规模化量产，将标志着中国高端AI硬件——国产GPU、国产HBM达成真正意义上的自主闭环。

长鑫DDR5/图源：长鑫存储

再者，适配Kimi K3等轻量化、高效率大模型，方便AI装进手机和电脑终端。端侧AI运行对手机内存LPDDR5、LPDDR6的容量和速率有极高要求。长鑫针对这些产品的加速研发，也会促进AI手机的全面普及。

由于体量较大，长鑫存储的上市可能像一块巨石，砸入存量的水池，激起短期内的剧烈波澜；但从中长期看，它也是一块压舱石，为科技市场巩固信心，开启本土半导体资产的“价值重估”。

关键是，A股市值榜首曾长期由银行、能源等权重股“把守”，此次长鑫科技登顶，是A股35年来首次由半导体硬科技企业“夺取”市值王座，标志着A股可能告别“能源为王”“金融为王”的单一估值时代，进入服务实体经济、“硬科技主导”的新阶段。

封面为AI创意图（依一制图）

作者 |荣智慧

编辑 | 向现

值班主编 | 张来

排版 | 阿车 菲菲