从工业存储到AI数据湖：拆解闪迪的NAND技术栈

2025年2月，闪迪从西部数据完成分拆，重新成为独立上市的NAND闪存公司。对工程师而言，理解闪迪不能只看消费级存储卡：其业务横跨数据中心SSD、PC与游戏主机SSD、汽车和工业嵌入式存储、可移动存储以及NAND晶圆和组件，真正的核心是“存储单元—控制器—固件—封装—系统验证”的全栈协同。

一、制造模式：不是无晶圆厂，也不是传统IDM

闪迪绝大多数NAND晶圆来自与铠侠共同控制的Flash Ventures。双方共同开发制程与存储阵列设计，闪迪在各合资实体中持有49.9%权益；控制器主要由闪迪内部设计，再交由第三方晶圆厂制造，封装测试则结合自有设施与外部伙伴。

这种模式把先进NAND的规模经济、产品定义能力和资本纪律结合在一起，但也意味着产能、良率与技术换代高度依赖合资协同。2026年7月，双方已在日本北上工厂Fab2启动第十代3D NAND生产。

二、NAND演进：层数只是表象，架构才是关键

2020年闪迪产品谱系仍处于3D TLC、2D MLC/SLC、e.MMC 5.1、UFS 2.1和PCIe Gen3时代，但已经体现了闪迪的系统思路：通过ECC、磨损均衡、坏块管理、自动或手动刷新、健康监控、掉电抗扰以及SLC/TLC分区，把原始NAND转化为可用于工业现场的“受控存储系统”。

今天的技术重心已转向CBA，即CMOS directly Bonded to Array。传统方案把外围CMOS与存储阵列放在同一晶圆上，CBA则分别制造逻辑晶圆和存储阵列晶圆，再进行高精度键合，使两部分可以独立选择工艺和版图。

BiCS8采用218层架构；2026年送样的BiCS10 TLC提高到332层，并通过横向缩放、Toggle DDR6.0等技术实现最高4.8Gb/s接口速率。闪迪公布的数据称，其位密度较BiCS8提升59%，输入、输出功耗分别降低10%和34%。

这些数据仍需在具体产品、良率和稳态负载中验证，但它说明3D NAND竞争已从“堆多少层”升级为垂直、横向、逻辑和架构协同缩放。

三、数据中心产品：高性能与高容量走向分层

闪迪企业级SSD不再追求单一指标。SN861面向高IOPS、低延迟和混合负载；SN655面向读取密集型横向扩展；SN670则采用BiCS8 QLC与UltraQLC平台，容量覆盖30.72TB至122.88TB，使用PCIe 5.0、NVMe 2.0和OCP 2.5，耐久度定位为0.35 DWPD，目标是AI数据摄取、数据准备、数据湖和分析场景。

UltraQLC的工程重点并不是简单把TLC替换成QLC，而是用控制器和固件补偿QLC的写入、耐久度与数据保持弱点。其公开设计包括无需SLC缓存即可完成首次掉电安全写入的Direct Write QLC、动态频率调节、多核控制器，以及减少数据保持刷新次数的DR Profile。

闪迪还展示了256TB U.2 NVMe SSD，但相关性能和节能指标中仍有“预计”口径，应把它视为平台方向和产品化进度，而不是已经被大规模客户验证的结论。

四、工业与汽车：真正的门槛在固件和生命周期

工业存储的核心并非峰值带宽，而是可预测性。附件中的IX EM122/EM132、EU312、IX SN530及工业SD、microSD覆盖宽温、持续写入和长生命周期需求；当前EM132仍通过智能分区、手动刷新、健康报告和增强用户数据区，在同一器件中配置TLC与SLC区域。

对PLC、工业PC、监控和网关设计而言，这类功能直接影响启动可靠性、写放大、维护周期和BOM稳定性。

汽车端的iNAND AT EU752进一步显示，嵌入式存储正在接近“车规子系统”。它采用BiCS8 218层NAND和UFS 4.1，容量最高1TB，标称顺序读写可达4.3GB/s和4.1GB/s，工作温度覆盖-40℃至105℃，并加入掉电保护、健康监控、快速启动、热节流及面向功能安全和网络安全的开发流程。

对ADAS、传感器融合和事件记录而言，存储已从被动容量器件变成实时数据链路的一部分。

五、下一步：HBF值得关注，但不能与量产产品混为一谈

闪迪正在推动基于NAND的高带宽闪存HBF，目标是在AI推理中以更高容量和更低成本补充HBM，并已与SK海力士在开放计算项目框架下推进标准化。

从公开披露看，截至2026年8月，HBF仍处于开发和生态建设阶段，其关键挑战包括随机访问时延、封装互连、控制器调度、软件可见性以及与GPU、加速器的系统级协同。它代表了闪迪从“块存储供应商”向“AI内存层架构参与者”的尝试，但尚不能按照成熟产品评估。

结语

闪迪的技术价值不在某一张SD卡或某一代NAND层数，而在于把NAND密度、控制器ASIC、固件算法、封装测试和场景验证组合成可量产产品。

对半导体工程师而言，判断其竞争力应重点观察三件事：BiCS10的良率与成本爬坡、UltraQLC在稳态负载下的QoS和耐久度，以及HBF能否形成接口标准、软件生态与真实客户。

只有这三条路线完成从器件指标到系统价值的闭环，“新闪迪”才真正完成从传统闪存厂商向AI数据基础设施公司的跃迁。

如有问题，请联系老虎说芯（加V：tigerchip）

欢迎订阅付费文章系列，祝您一切顺利！

参考资料

Sandisk Announces Sampling of BiCS10 1Tb TLC 3D NAND Flash Memory Pushing Density, Power Efficiency and Performance to Support Data-Intensive Workloads | Sandisk:

如何选择企业级 SSD | Sandisk:

Sandisk Showcases UltraQLC Technology Platform with Milestone Enterprise SSD Capacity at FMS 2025 | Sandisk:

Product Brief: SANDISK iNAND AT EU752 UFS 4.1:

[5]

Sandisk Forms HBF™ Technical Advisory Board to Guide Development and ...: