【简讯】铠侠将展示全新CXL内存扩展模块；英伟达正式发布SCADA技术…

铠侠将展示全新CXL内存扩展模块

8月5日，铠侠宣布将在全球闪存峰会（FMS 2026）上，展出其兼容Compute Express Link（CXL）标准的内存扩展模块——KIOXIA XL1系列。该新品采用低延迟、高性能的XL-FLASH闪存技术，突破了传统闪存仅用于存储的局限，使其可作为内存扩展方案使用。

XL1系列专为应对日益增长的大内存AI应用需求而设计，借助CXL接口将访问频率较低的数据移至XL-FLASH中存放，从而有效释放DRAM压力，提升整体内存利用效率。

该方案在性能与成本之间提供了比传统DRAM和SSD更均衡的选择，满足高要求AI场景的实际需要，计划于2026年8月向行业生态合作伙伴交付评估样品。

事实上，铠侠早在2023年便展出了基于CXL与XL-FLASH的原型产品，专注于性能和可靠性导向的应用。据铠侠介绍，当CXL与第二代XL-FLASH协同工作时，不仅容量显著提升，成本效益也更为突出。此次XL1系列的正式发布，标志着该技术路线正加速走向商用落地。

英伟达正式发布SCADA技术

在FMS 2026峰会上，英伟达宣布将旗下的GPU存储加速API cuFile全面开源，同时公布SCADA全新存储架构，彻底打破传统CPU主导IO的传输瓶颈，实测场景下GPU存储IOPS最高实现5倍提升。据介绍，SCADA允许GPU直接发起存储I/O请求，管理NVMe硬盘的队列深度，实测数据显示，在处理数据分析任务时，SCADA的速度是CPU触发模式的5.3倍，而硬件成本最高可降低21.7倍。

在美光展示的参考设计中，使用3颗H100显卡成功驱动了44块PCIe Gen6 SSD，实现了2.3亿次随机读IOPS。这意味着单台服务器的存储吞吐达到了118GB/s，且负责调度的单颗CPU在整个过程中几乎处于空闲状态。

同时，针对AI推理中KV缓存频繁产生的小数据读写，英伟达正式推出Storage-Next产业联盟计划，重点优化512字节扇区的读写表现，以解决传统硬盘在4KB扇区下造成的8倍读取放大问题。

该构想最早在2025年GTC大会提出，目前联盟成员已超40家闪存与存储厂商，包含DDN、铠侠、美光，还有存储控制器企业、散热厂商以及标准化组织，各方将共同制定一套新标准：当GPU取代CPU成为存储访问主体时，固态硬盘应当如何适配运行。

硬件层面上，为承载cuFile开源生态与SCADA全新存储架构的落地，英伟达打造了新一代基于Vera BlueField-4存储处理器的STX架构系统，并计划在2026年下半年正式推出商用整机。

REDMI K100 Pro搭载8580mAh超大电池

今天，REDMI K100 Pro续航规格正式官宣搭载8580mAh超大电池。电池实现26%超高硅碳含量，945Wh/L超高能量密度，号称挑战4K档最强续航。

K100 Pro系列将在8月11日正式发布，这次共有两款登场，分别是K100 Pro、K100 Pro Max，标准版延迟上市。K100 Pro是相对小尺寸版本，采用6.59英寸屏幕，首发M11发光材料的1.5K OLED直屏，支持185Hz电竞刷新率与4800Hz瞬时触控采样率，峰值亮度4500尼特，三十余款热门手游适配原生高帧率模式。后置2亿像素主摄搭配超广角长焦三摄模组，配备3D超声波指纹、IP68整机防水、金属包裹中框。

核心搭载高通刚刚发布的第五代骁龙8至尊版V Series，实验室综合跑分超409万分。

相机规格方面，K100 Pro搭载2亿像素旗舰三摄组合，带来5焦段体验。主摄是2亿像素，可以拍摄超清画面，裁切之后依然清晰，一颗镜头就能当长焦使用，支持OIS光学防抖。此外，K100 Pro还支持10cm超焦微距拍摄，可玩性大大提升。

根据爆料和官方图，K100 Pro Max的配置会更进一步，搭载潜望长焦镜头，影像综合实力更强。

此外，AI、影像、通信外围配置无缩水，Hexagon NPU算力保持原版水准，支持端侧大模型本地部署；三枚20bit AI ISP最高支持3.2亿像素单摄与8K HDR视频录制。

内置X85 5G基带与FastConnect 7900，最高支持24GB LPDDR5X、UFS 4.1闪存与QC5快充。

NVM Express发布NVMe 2.4规范

日前，NVM Express宣布发布NVMe 2.4规范，涵盖了11项重要的新功能和工程变更通知，代表了NVMe技术演进的下一步，涵盖安全、管理和可持续性扩展，以满足数据密集型人工智能（AI）、云端、企业和客户端应用程序日益增长的需求。更新后的规范包括：

NVMe 2.4基本规范

命令集规范 - NVM命令集 1.3、ZNS命令集 1.5、键值命令集 1.4、子系统本地内存命令集 1.3、计算程序命令集 1.3

传输规范 - 基于PCIe传输 1.4、基于RDMA传输 1.3、基于TCP传输 1.3

NVM Express管理接口规范（NVMe-MI）2.2

启动规范 - NVMe Boot 1.4

在本次更新中，NVMe还增强了后量子密码学的安全性，通过更新协议支持NIST批准的量子抗性算法，加强主机与SSD之间的端到端数据保护，扩展了NVMe技术的安全模型。另外还有对管理的优化，比如支持主控端速率控制，以及对可持续发展的支持，提供电压监测等功能。

长鑫LPDDR6开启风险试产

据最新消息显示，长鑫存储旗下的最新LPDDR6内存项目取得重大进展，目前已进入风险试产阶段，在制造工艺与技术迭代进度上，基本追平三星、SK海力士、美光等国际存储巨头。

消息称，长鑫目前正积极向主流手机厂商和计算平台分发样品进行验证，一旦原型测试达到预期，国产LPDDR6有望在年内进入大规模量产阶段，且考虑到长鑫以往在产能建设上的高效率，风险试产后的量产窗口期可能被压缩至数周。

规格方面，长鑫首批LPDDR6芯片的速率已经达到了12.8Gbps，该芯片单颗容量为16Gb（折合2GB），封装形式选用了PoP（堆叠封装），这种技术通过1295针BGA球栅阵列，实现了内存与处理器的纵向堆叠，能进一步优化智能手机等移动端设备的内部空间占用。

三星展示最新存储产品蓝图

在FMS 2026峰会上，三星发布了面向下一代AI基础设施的存储技术路线图，并首次展出zHBM、zNAND-O概念模型及业界首款V10 BV-NAND闪存。本次发布的核心亮点是全新zHBM架构，zHBM通过先进晶圆键合技术将高带宽内存垂直堆叠于AI加速器上方，大幅缩短数据传输路径。

据三星介绍，该系统性能预计达HBM5的8倍，内存密度提升超10倍，能效提高3倍，热阻降低逾50%，可显著支撑大规模AI训练与推理需求。同时，zHBM支持客户定制IP集成，进一步拓展了AI芯片设计的灵活性。

针对边缘AI场景，三星还推出了zNAND-O方案，目前还处于研发阶段。该产品兼顾高空间效率、低延迟与优异I/O性能，专为支持实时数据密集型 AI 应用的边缘计算环境而设计。

在NAND领域，三星正式揭晓V10 BV-NAND，这是继2013年首创V-NAND后的又一里程碑。该产品采用全新键合V-NAND架构，层数突破400层，存储密度较前代V9提升约58%，同时在读取、写入和I/O性能方面均实现显著进步，为AI数据中心提供更高容量与效能的存储基础。

此外，三星还展出了完整的AI存储产品矩阵，包括已启动送样的HBM4E、HBM5、业界首款集成存内计算（PIM）技术的LPDDR5X-PIM，以及PM1763等企业级SSD。其中，LPDDR5X-PIM可在内存内部直接处理数据，有效缓解“内存墙”瓶颈。从HBM到PIM再到企业存储，三星正以全栈式3D存储创新，驱动AI算力基础设施迈向新阶段。

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