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根据高盛集团（Goldman Sachs）近日最新发布的报告预估，中国大陆7nm及以下先进制程晶圆的自给率，将从2025年的8%迅速增长至2035年的66%。
高盛预计在2025 年至2035 年间，中国7nm及以下先进制程晶圆的供应量将以年均46% 的高速成长，显著高于同期17% 的需求年均成长率。其中，在生成式AI 热潮下，用于AI服务器的先进晶圆需求年均增长率预估将达到42%。预计到2035年，中国大陆对先进制程晶圆的月需求量将达到61.9万片，而本土供应量则有望增加至41万片，届时自给率将达66%。
此外，国产先进制程的晶圆良率也预计将从2026年的23%提升至2030年的50%，并在2035年进一步达到75%。但是与全球晶圆代工龙头台积电相比仍有一定差距，台积电在7nm制程的良率已超过90%。
高盛另外还将中国半导体产业2030年的资本支出预测提高至820 亿美元，该预测数据相比一年前的预测值大幅调升了79%，主要原因在于生成式AI 带来的强劲需求以及中国半导体国产化进程的全面推进。
在整体芯片产量上，中国大陆半导体的生产自给率已由2010年1月的38%，显著成长至2026年6月的约70%。然而，如果以金额为基础计算，自给率依然偏低，这说明中国大陆虽然在成熟制程与通用半导体的产量上实现了快速扩张，但在先进制程及高附加价值产品上，依然高度依赖海外市场。
在晶圆制造设备市场方面，中国大陆本土设备商的营收占比将从2026 年的31% 成长至2028 年的38%。然而，光刻机仍是中国半导体自主化道路上的最大痛点。目前，中国大陆在深紫外线（DUV）光刻机上仍高度依赖荷兰ASML，而用于更先进制程的极紫外线（EUV）曝光机，则因美国的出口管制而难以获取，这类设备限制将成为缩短与国际先进制程良率和技术差距的最大阻碍。
在存储芯片领域，中国大陆最大DRAM厂商长鑫储存（CXMT）和最大的NAND Flash厂商长江存储（YMTC）经过近年来的发展已经迅速壮大。特别是在AI热潮驱动的“存储超级周期”之下，营收利润大涨。近期，长鑫存储已经成功在A股科创板上市，成功募资近670亿元，进一步加码技术研发和产能扩建。长江存储也已经提交IPO申请，拟募资330亿元，同样也是加码技术研发和产能扩建。
不过，由于DRAM技术持续推进更依赖于先进制程，更尖端的产品甚至需要用到EUV制程，而目前国内仍面临先进半导体设备对华出口的封锁，因此高盛预计中国市场在先进DRAM方面仍将维持对全球龙头厂商的依赖，三星电子与SK海力士在中国市场的业务空间依然稳固。
相比之下，NAND Flash目前的发展尚未进入到需要先进制程的阶段，更多还是依赖于架构设计和堆叠层数的提升。而长江存储首创的Xtracking技术，已经成功帮助长江存储在技术上达到了第一梯队的水平。因此，在NAND Flash市场，中国大陆的自给率将有望持续快速提升。
编辑：芯智讯-浪客剑
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