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上个月，英特尔公布了2026年第二季度财报，收入同比大幅增长25%，继续有高于预期的表现，创下了逾十五年来最强劲的营收增长。除了亮眼的财务数据，英特尔另外一大亮点是Intel 14A工艺的进展，首席执行官（CEO）陈立武（Lip-Bu Tan）表示，新的制程工艺在缺陷密度和晶体管性能两项关键指标上已超越Intel 18A同期表现。
据TomsHardware报道，近日英特尔首席财务官（CFO）David Zinsner在德意志银行2026年技术大会上带来了更多有关Intel 14A工艺的消息，表示从缺陷密度来看，Intel 14A拥有自22nm以来最佳的“缺陷密度曲线”，而22nm可以说是英特尔至今为止最好的制程产品之一。
22nm是英特尔首个采用FinFET晶体管的制造工艺，是当时世界上最先进的半导体制造技术，于2011年试产，并在2012年大规模量产，首发产品是Ivy Bridge。其他同行业竞争者要等到2014年至2015年才引入，而且是更晚的14/16nm制程节点。
Intel 14A采用了名为“RibbonFET 2”的第二代GAA晶体管技术，背面供电技术也进行了升级，采用了名为“PowerDirect”的设计，同时还应用了High-NA EUV光刻技术。与Intel 18A相比，Intel 14A在相同功率下，性能提升15%至20%，或者相同性能下，功耗降低25%至35%，另外晶体管密度也将提高最多30%。
按照上个月陈立武的说法，Intel 14A工艺将全面提速，提前至2027年下半年开启风险试产，2028年实现大规模量产，早于之前规划的“2028年风险试产、2029年量产”。陈立武认为，Intel 14A将在性能、功耗、密度、成本和进度等关键方面成为极具竞争力的制程产品。
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