天津
(全球TMT 2026年09月03日讯)9月2日至4日，2026开放数据中心大会暨首届算博会（ODX 2026）在京举行，三星半导体亮相大会，集中展示了面向下一代AI基础设施的创新存储解决方案。大会期间，三星电子副总裁兼NAND闪存规划与赋能事业部负责人玄在雄（Jay Hyun）发表题为“突破内存墙：重构面向智能体AI的数据通路”的主旨演讲。
面向高性能AI系统，三星以PCIe Gen6企业级SSD PM1763作为性能旗舰。该产品集成三星第九代TLC V-NAND、4纳米控制器和PCIe 6.0 x4接口。其顺序读写速度最高分别达到28,400MB/s和21,000MB/s，随机读写性能最高分别达到680万和95万IOPS；容量覆盖4TB至64TB。面对大规模工作负载的容量需求，三星推出了高容量QLC SSD BM1773。该产品采用第九代QLC V-NAND和5纳米控制器，容量覆盖16TB至256TB。针对端侧AI模型扩张带来的DRAM成本压力，三星提出了zNAND-O 3D存储解决方案。该技术的比特密度可达DRAM的10倍，读取带宽和读取能效可达传统NAND闪存的7倍。
大会期间，三星半导体斩获多项荣誉：专为下一代AI系统扩展而设计的PM1763荣膺“年度突破项目”，上海三星半导体有限公司获评“年度先锋企业”，三星电子副总裁兼中国区Memory事业部首席技术官尹松虎获评“年度领军人物”。
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