美光Q2增速首超三星SK海力士，DRAM三巨头格局生变

2026年第二季度，全球DRAM行业总收入达1547.3亿美元，环比激增59.5%。这一增长背后，竞争格局正经历剧烈震荡：美光科技季度营收增长率达65.5%，首次超越三星电子（63.4%）和SK海力士（37.9%）。随着美光完成对台湾一座30万平方英尺洁净室设施的收购，维持近十年的“三巨头”营收排名体系正进入真正的动荡期。

三星凭借HBM4量产稳固榜首

三星电子以609.8亿美元的季度营收和39.4%的市场份额位居第一。其优势主要源于在三大供应商中实现了最强的位元出货量增长。三星于2026年2月率先启动HBM4量产，将内存接口宽度从1,024位翻倍至2,048位，从而获得高于传统DDR5的制造溢价。

在HBM领域，三星的收入份额从2026年第一季度的21%跃升至第二季度的33%，将与SK海力士的差距从37个百分点缩小至17个百分点。数据显示，自量产以来，三星HBM4的良率已从2月的不足60%提升至8月的约80%。

SK海力士：HBM领导地位成为短期负担

SK海力士以385.9亿美元的季度营收和24.9%的市场份额排名第二，较第一季度的28.8%大幅下滑。这并非竞争力减弱所致：SK海力士在第二季度占据全球HBM市场约50%的收入份额，并实现了创纪录的76%营业利润率。其份额下滑的主要原因在于时机——SK海力士较早与英伟达等主要客户锁定了HBM供应协议，导致在第二季度传统DRAM合同价格飙升58–63%时，其HBM收入仍按较低的合同价格确认，未能享受现货市场溢价。

随着三星HBM4产能爬坡，SK海力士的HBM收入份额从一季度的58%降至二季度的50%。尽管收益创纪录，但其增速慢于竞争对手，市场份额受到两端挤压。

美光策略性突围，逼近第二名

美光第二季度营收达360亿美元，环比增长65.5%，市场份额升至23.3%。在产能受限的情况下，美光优先发展传统服务器DRAM（如DDR5 RDIMM）。由于此类产品合同周期短于HBM，美光充分捕获了第二季度的价格涨幅。数据显示，美光HBM份额从21%降至18%，其增长完全来自传统服务器内存。

目前，SK海力士与美光的营收差距缩小至约25.9亿美元，市场份额差距仅约1个百分点。分析师指出，只要具备相应产能支撑，美光已成为争夺第二名的真正竞争者。

收购台湾晶圆厂，美光扩充关键产能

为解决产能瓶颈，美光于2026年3月15日以18亿美元完成对台湾竹北前力成科技（PSMC）P5晶圆厂的收购，获得30万平方英尺的300mm洁净室空间，并于3月26日开始安装设备。该设施位于美光台中园区附近，可实现运营协同。

美光全球运营执行副总裁Manish Bhatia表示，该设施的收购增强了公司把握AI机遇的能力。预测显示，竹北工厂第一阶段投产将于2027年下半年开始，使美光产能增加10%以上。若美光持续优先提高高均价服务器DRAM的比重，到2027年底，其与SK海力士的差距将进一步缩小。

成熟制程短缺，PSMC成意外受益者

三巨头将产能向先进工艺和HBM倾斜，导致成熟节点DRAM（如DDR4/DDR3）出现结构性供应不足。PSMC在2026年第二季度DRAM收入达1.15亿美元，环比增长167.8%，成为增速最高的主要供应商。南亚科和华邦电也因相同原因实现显著增长。

根据与美光的协议，PSMC预计将获得1Y纳米工艺许可，从而提升生产密度更高的DDR4模块的能力，巩固其在消费DRAM领域的竞争优势。

HBM挤出效应与未来展望

生产单个HBM4模块消耗的晶圆产能约为同等数量传统DDR5的三倍。随着HBM晶圆投入占比预计在2026年底达到22%，并在2027年底升至30%，传统DRAM产能被机械性地挤出。三大供应商正主要推进先进工艺节点投产，大规模新晶圆厂建设最早也要到2028年才能产生有意义产出。

展望第三季度，传统DRAM价格涨幅预计放缓至每季度13–18%。尽管PC和智能手机需求减弱，但消费和PC市场仍将严重供不应求，戴尔、联想和华硕均确认下半年零售价格上涨15–20%。分析师预测，2027年DRAM需求增长将超过供给增长10个百分点以上，行业将面临历史上最紧张的供应状况。

潜在法律风险

当前供应结构面临法律挑战。2026年6月，一起集体诉讼指控三星、SK海力士和美光协调转向HBM生产以人为限制DRAM供应，导致价格飙升。三家公司均否认指控。尽管案件尚未证实，但这一法律维度为激烈的市场竞争增添了不确定性。

【星途科讯 图文丨小林 首发于ZAKER科技，转载请注明出处】