河南
9月9日，第27届中国国际光电博览会（CIOE）在深圳开幕，芯思杰现场正式发布400Gbps背照式PIN型光电探测器芯片。
此前在2026年美国光通讯展览会（OFC）上，芯思杰已向行业首次展示该款芯片；本次CIOE展会，产品以完整样品形态正式面向全球客户发布，从技术展示走向产品发布，从前沿研发迈入客户验证与应用导入阶段。
AI算力爆发带动数据中心流量激增，光收发模块正加速向1.6T、3.2T速率迭代，高端光电探测器的性能与供应能力，已成为制约产业迭代的关键环节。
作为行业首批落地的同速率产品之一，这款芯片实现性能与工艺双重突破：通过电荷补偿技术，在高电流密度工况下实现均匀电场分布，突破传统PINPD芯片在带宽、光电转换效率以及饱和电流方面的性能瓶颈，核心指标对齐全球第一梯队；创新背部透镜一体化集成设计，芯片出厂即完成核心光学整合，助力下游厂商大幅降低透镜对准工艺复杂度、提升生产效率与良率、降低批量制造成本。
产品落地依托芯思杰IDM全链条自研制造能力，从外延片开发、芯片设计、工艺制造到测试封装全环节自主可控，构建高端光芯片完整工艺闭环。
目前，芯思杰已形成全球化产业布局，设有深圳、徐州、蚌埠、新加坡、马来西亚、泰国（筹建中）六大产业基地，搭建起从研发到量产的完整制造能力，持续构建面向全球市场的研发制造与交付体系。
公司已形成覆盖“2.5Gbps-400Gbps”全速率段，包含PINPD、雪崩探测器（APD）、监视探测器（MPD）、单光子探测器（SPAD）四大品类的完整产品矩阵。
依托统一的光子技术平台，芯思杰将核心技术能力延展至多元光电应用场景。除面向智算中心高速光互联的PINPD芯片外，APD芯片可应用于车载激光雷达与长距离光传输，MPD芯片适用于光功率监测与激光定位，SPAD芯片面向量子光学、量子通信等前沿科研领域，跨产品、跨场景的技术复用持续拓宽产业价值边界。
面向下一代全球光互联，芯思杰将持续携手产业链伙伴，共推高速光芯片规模化应用，服务全球算力基础设施升级。
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