黄仁勋直言：中国预计4年后搞定先进光刻系统，然后开始大规模应用。蔡司负责人则表示：中国搞定EUV还需15年

前沿导读

英伟达创始人黄仁勋在All-In峰会上表示称，中国自主技术到2030年就能做出自己的先进光刻系统，一旦技术成熟，依靠中国企业强大的规模化生产能力，国产设备进入商业化层面只是时间问题。

黄仁勋看好中国自主技术的发展，而德国蔡司半导体负责人却在之前的采访中表示中国企业想要做出国产EUV光刻机，可能还需要约15年时间。

两种态度

黄仁勋与蔡司负责人的观点差距较大，并且双方所针对的技术产品也不相同。

蔡司直接谈论的技术设备是采用13.5nm波长的EUV光刻机，也是目前芯片制造领域的顶级工业设备。而黄仁勋指代的则是“先进光刻系统”，除EUV之外，浸润式DUV也属于先进光刻系统的范畴，ASML制造的先进浸润式光刻机也可以跟EUV一样制造出7nm节点的先进芯片。

相比EUV，浸润式DUV既可以满足成熟芯片的制造，也可以满足部分先进芯片的制造，只不过制造先进芯片需要用到自对准四重图案化技术，其制造工艺复杂、步骤繁多，在经济成本上具有一定压力。

在EUV光刻机没有正式商用之前，台积电的第一代7nm工艺（N7）就是采用浸润式DUV实现的量产，麒麟980、麒麟990都是这种技术制造出来的芯片。

三星猎户座9825是全球首款采用EUV工艺制造的芯片，而华为随后发布的麒麟990 5G芯片，才算是正式开启了EUV技术时代的大规模应用。

EUV所应用的场景只有尖端的高性能芯片，而DUV的应用场景非常广泛，可以从成熟节点一直覆盖到7nm先进节点。这两者从来都不是互相替代的关系，而是相对于独立的技术生态，适用不同的技术场景。

黄仁勋看重的是中国企业在系统工程层面所展现出来的竞争力，无论是华为此前推出的超节点技术，还是国产浸润式DUV光刻机完成整机制造进入测试阶段，都是中国科技产业在受到外部压力后展现出来的技术创新。

超节点技术让华为通过集群效应，堆叠大量算力芯片来弥补单颗芯片算力不足的劣势。而国产DUV光刻机的整体突破，则是代表了中国供应链在激发光源、曝光系统、双工件台等多个技术环节的共同进步。

按照这个执行力继续发展下去，2030年实现国产设备的规模化量产芯片也不是没有可能。

而EUV明显就是个更难啃的骨头，蔡司是ASML EUV光刻机的独家曝光系统供应商，反射镜、投影系统、多层膜、面形控制都掌握在蔡司半导体部门的手中，更何况蔡司还在EUV曝光领域（含第二代EUV）拥有2000项以上的技术专利。

蔡司半导体负责人认为，中国企业想要做出EUV光刻机还需15年，其中既包括EUV的整机制造，也包括EUV制造芯片的水平。

想要实现自主可控、可量产、可长期稳定运行的EUV设备，绝不是实验室内打出一束13.5nm的极紫外光就算成功。还需要设备的激发功率、供应链匹配程度、软件系统等方面足够稳定，只有可以持续稳定工作的工业设备，才能算成功。

四个阶段

光刻系统可以分为四个技术阶段：

第一阶段是干式DUV技术，我国已经实现了90nm、65nm分辨率的干式DUV光刻机制造，在成熟芯片领域实现了自主可控。

第二阶段是浸润式DUV技术，可以支持14nm—7nm节点的芯片制造，这个阶段是当下以及未来5年的主战场，也是我们进展较为顺利的技术产品。如若国产设备能稳定量产芯片，即可覆盖大量车规、工控、存储、逻辑芯片的制造。

第三个阶段是非EUV的替代路线，在无法获得EUV技术或者是国产EUV技术没有实现商业化之前，找寻其他技术路径来继续发展尖端芯片。先进封装、逻辑堆叠这些技术不一定可以完全替代EUV，但是能降低对EUV技术的依赖，依靠当下的制造技术继续提升芯片性能。

第四个阶段则是自主可控的EUV设备，13.5nm高功率光源、曝光反射镜组、双工件台、软件系统、对准系统这些子系统都需要逐一进行攻克，最后还需要将这些子系统拼装成一个整体制造芯片。

其中困难地方很多，除了要攻克各个子系统的自主可控，还要规避ASML和蔡司在这个领域的技术专利。相比DUV技术，我们在EUV领域需要更多时间解决问题。

我国半导体制造业不是一只脚走路，DUV和EUV这种传统的技术路线需要推进，先进封装、逻辑折叠、混合键合等“辅助”技术也在同步推进。

实现DUV设备的自主可控，可以极大提升成熟芯片的制造稳定性，降低被卡脖子的风险几率。实现EUV的自主可控，将会让我国在尖端芯片领域逐步赶上国际主流水平。

而当下正在推进的先进封装技术以及华为提出的逻辑折叠技术，则是在EUV受限的情况下为尖端芯片的发展提供另一种技术可能性，同时也是对摩尔定律失效后的提前布局。