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10月5日,DRAM芯片大厂南亚科技公布了2026年9月营收快报。其当月自结合并营收为新台币450.91亿元,同比暴涨576.62%,环比增长0.9%。
累计1-9月合并营收为新台币2,652.85亿元,同比暴涨626.95%。累计第三季(7-9月)营收约新台币1,336.49 亿元,同比暴涨611.7%,环比增长约61.9%。
在今年二季度的财报会议上,南亚科技总经理李培瑛对于存储产业未来的前景给出了极为乐观的判断。
李培瑛指出,以整体市场状况来看,在AI基础设施建设热潮持续之下,目前DRAM仍是全面性缺货,并非局限于单一产品,尤其云端相关应用、HBM及高价值产品需求尤为强劲,供给无法满足需求,带动价格持续上涨。此外,相关缺货效应也逐步扩散至其他市场,使整体DRAM市场普遍处于供应吃紧状态。虽然DRAM厂商也在积极扩增新产能,但预计到2028年才会真正影响到市场。因此,他预计全球DRAM供不应求的局面将延续至2028年。
美光CEO Sanjay Mehrotra在近日的2026财年第四财季(截至2026年9月3日)财报会议上对存储市场前景则给出了更为乐观预期。他表示,自上次财报电话会以来,行业需求持续走强,2027财年和2028财年的供需状况将比2026年更为紧张。
在这样的背景之下,签署长期供货合约(LTA)成为了DRAM市场供需双方的共识。美光2027年绝大部分HBM位元供应已锁定,价格同比大幅上涨,并且正在缩小与传统DRAM的毛利率差距。
美光CFO Mark Murphy在电话会议上还透露,在过去一个季度,美光新增了10个客户签署LTA协议,到本财季末,已经累计与26个客户签署LTA协议,最长的两份LTA协议到2031年。对应的客户财务承诺为320亿美元(含现金存款和金融履约承诺),其中绝大部分为现金预付款。未履约合同义务(RPO)约为1500亿美元,即按最低保底价格计算的未来合同总价值。而且,这26份SCA协议覆盖至2030年及以后,这也导致美光超过75%的2027财年预期产出已经被提前锁定。
虽然南亚科技主要专注于利基型(传统DRAM)市场,但是由于AI对于先进DRAM的强劲需求正对传统DRAM产能产生明显“排挤效应”,也直接导致传统DRAM市场的持续供不应求。南亚科技的客户也在通过LTA锁定未来供应。
李培瑛在二季度财报会议上指出,各类LTA合计约占南亚科技总产能的50%,未来将随着较短期合约陆续到期,逐步转换为期限更长的LTA,以提升供货稳定性与客户合作深度。
此外,为应对客户强劲的需求,南亚科技已经宣布今年全年资本支出预计将超过500亿新台币,2027年资本支出超过2000亿新台币(约合62亿美元),这一金额约为今年资本支出的四倍。这些资本支出将主要用于南亚科技新建5A晶圆厂建设,以及新技术和产品研发投入。
今年8月5日,南亚科技董事会通过决议,宣布将新建最高投资上限为3466亿新台币(约107.34亿美元)的5A晶圆厂。这不仅是南亚科技历史上最大的一次投资,也是近20年来台湾DRAM行业最大的单项投资。
据介绍,5A晶圆厂将分阶段四年实施,目标是将第一阶段月晶圆产能提升至35,900片,并引入极紫外(EUV)光刻设备,作为下一代DRAM工艺的关键生产基地。未来还将陆续导入1B、1C、1D及1E等先进10nm级DRAM制程。总资本支出预算上限定为3466亿新台币,资金将来自自有资金、银行贷款及其他融资方式。该晶圆厂计划于2027年下半年开始晶圆生产,2028年月产量将达到3万片,2029年达到3.59万片,逐步迈向满产。
根据李培瑛此前预计预计,随着新产能逐步开出,公司2027年和2028年bit出货量将分别同比增长8%和53%。整体来看,南亚科技2026年至2028年整体产能将扩张约69%。
值得注意的是,南亚科技于10月1日通过国科会审查,宣布投资屏东科学园区。南部科学园区指出,南亚科技申请于屏东园区投资设立屏东分公司,主要从事先进半导体3D晶圆封装及测试业务。公司以硅通孔与晶圆堆叠技术,开发高容量、高频宽、低延迟、低功耗的内存模块,并通过深化客户合作与确保供应链弹性,持续推动技术创新,稳固产品独特性与市场领先地位。
编辑:芯智讯-浪客剑
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