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10月7日，据《朝鲜日报》报道，随着高带宽内存（HBM）产品从第五代的HBM3E转向第六代的HBM4，三星电子正规划将2027年的供货价格大幅上调至当前的两倍以上（即涨幅超100%）。
报道强调，三星电子计划对2027年的HBM价格大幅上调主要受三大因素所驱动：
1、通用DRAM价格强势：市场研究机构TrendForce预测，2026年第四季标准型DRAM合约价将季增10%至15%，含HBM在内的DRAM合约价则季增15%至20%。外资投行高盛（Goldman Sachs）分析指出，生产标准型DRAM的营收提高，带动HBM价格必须同步调涨;
2、晶圆消耗与先进制程成本上涨：HBM芯粒较大且世代升级增加晶圆消耗，且三星的HBM4基础芯片（Base Die）采用4nm逻辑制程，成本负担显著增加。高盛指出，DRAM新增产能大多将被HBM吸收，使标准型DRAM供给受限并维持高价，形成支撑HBM涨价的循环;
3、美光涨价带动效应：美光近期已将2027年的大部分HBM产能以高于2026年的价格签约。美光确定大幅涨价后，进一步扩大了三星电子与SK海力士（SK Hynix）跟进涨价以反映市场行情的空间。
KB证券也预测三星电子2027年的HBM售价将上涨100%以上。市场调研机构TrendForce则预计，2027年全球HBM平均价格涨幅将达121%。
三星电子已于2026年2月启动HBM4量产，2027年出货量预计将大幅增加。目前三星电子已确保英伟达（NVIDIA）与博通（Broadcom）等主要客户2027年的相当数量订单，价格谈判已于本月进入最终阶段。
半导体业界人士表示，由于标准型DRAM与HBM市场供给均偏紧，三星电子在谈判中极可能掌握主导权。不过，最终实际的利润改善幅度，仍将取决于HBM4良率、客户认证速度、以及晶圆分配策略，后续还值得持续观察。
根据韩亚证券（Hana Securities）的预估，随着HBM4出货扩大，2027年HBM占三星电子DRAM营收比重将升至15%左右。若涨价达100%，比重更可能扩大至20%至30%。
编辑：芯智讯-浪客剑
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