湖北
导读：大陆造不出光刻机？中科大副院长：老美造不出，中国永远都不可能
一段专家访谈的片段，经过网络剪辑传播，常常会演变为激烈的舆论争论。此前，曾任中科大研究生院副院长的朱士尧教授的相关发言在网络刷屏，“美国造不出，中国永远都不可能造出光刻机”的标题引发巨大争议，不少网友认为这番言论是唱衰国内半导体产业。但通读完整访谈内容不难发现，这句话被自媒体断章取义，其指向的是极紫外EUV光刻机，并非全部光刻机产品，本意是警示行业警惕闭门造车的幻想，而非否定我国芯片研发的潜力。
极紫外EUV光刻机被誉为半导体工业皇冠上的明珠，是制造7纳米及以下先进制程芯片的核心装备。很多人误以为荷兰阿斯麦公司完全独立制造EUV光刻机，事实并非如此。一台EUV整机包含十万余个零部件，供应链遍布全球五千多家厂商。阿斯麦本质上是整机集成商，核心光源来自美国，高精度反射光学镜头由德国企业提供，关键特种材料来自日本，精密减震零部件依靠瑞士厂商，任何一个环节缺位，整机便无法正常运转。
即便是科技实力雄厚的美国，早年也曾启动国家级EUV研发项目，投入海量资源攻关十余年，最终没能实现设备落地，本土芯片企业依旧需要采购阿斯麦的产品。日本尼康同样尝试研发EUV设备，受限于脱离全球供应链的现实，原型机良品率始终达不到商用标准，项目只能搁置。这恰恰印证专家的观点：EUV光刻机是全球化工业协作的产物，没有任何一个国家可以单凭本国工业体系，独立完成整套商用设备的研发制造。
很多人习惯将光刻机研发与两弹一星工程类比，但二者的评价标准截然不同。两弹一星以实现功能有无为核心目标；而商用光刻机，除了研制出能够成像的样机，还要保证长时间连续稳定运行、芯片生产良率达标，同时把生产成本控制在晶圆厂可以接受的范围。一台可以刻出图案，但良率低下的样机，对于芯片工厂来说，没有实际商业价值。实验室完成出光只是起点，从原型设备走向量产，中间隔着巨大的工程化鸿沟。
国内光刻产业实际走的是两条并行赛道，成熟制程DUV深紫外光刻机已经实现落地。上海微电子90纳米光刻机实现稳定量产，28纳米浸没式机型进入工艺验证阶段，这类设备可以满足汽车电子、工业控制芯片等大量成熟芯片的生产需求，相关设备已经纳入国家重大装备扶持目录，不断降低国产设备进入工厂验证的门槛。在配套材料领域，国产28纳米光刻胶良率突破90%，光刻胶配套容器也摆脱完全进口的局面，产业链配套正在一点点补齐短板。
但我们也要客观认清EUV光刻机面前的三道难关：精度控制在0.1纳米级别的超高精度光学系统、高功率13.5纳米极紫外光源、数万零部件协同调度的整机集成软件。目前国内科研机构已经研制出EUV光源原型，可以输出目标波长光线，但光源转化效率距离商用设备还有明显差距；深圳实验室出现的EUV原型机，能够产生极紫外光束，却暂时不具备量产芯片的能力。行业普遍评估，国产商用EUV设备真正落地，大概率要到2030年前后，光学系统依旧是最大短板。
美荷日持续收紧半导体设备出口管制，限制国内获取海外高端设备，客观上倒逼国内全产业链加速自主攻关。曾经阿斯麦的最大单一市场是中国大陆，如今随着国产设备持续迭代，国内企业采购思路发生转变，从优先进口，逐步转向国产替代优先，阿斯麦也预判中国市场销售占比会持续下滑。面对外部封锁，国内没有盲目孤注一掷押注EUV，而是优先夯实成熟制程，深耕功率半导体、存储芯片赛道，同时探索多条技术路线，高校、企业协同攻坚零部件、材料短板。
自主创新不等于闭门造车。朱士尧教授的发言更像一记行业警钟，提醒我们摒弃浮躁冒进的心态，尊重全球产业分工的客观规律。承认技术差距不是自我否定，恰恰是产业走向成熟的开端。国产光刻机追赶之路道阻且长，但国内科研人员的脚步从未停歇，脚踏实地补齐每一块技术短板，才是实现半导体产业自主可控的可行路径。
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