长鑫科技，DRAM研发取得关键进展

10月10日，在上海举办的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫科技总裁曹堪宇对外公布4F2 DRAM架构取得关键研发进展，同时披露公司预计于2026年年底推出融合4F2 DRAM架构、混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

曹堪宇介绍，当前DRAM行业主流采用6F2架构，F代表光刻工艺最小特征尺寸，4F2架构代表单个存储单元占用4倍最小特征尺寸的平方，同等芯片面积下存储密度更高。

长鑫科技4F2架构核心创新为自研VSG垂直包围沟道晶体管，该结构能够强化栅控能力，改善漏电与短沟道效应，晶体管垂直布局可实现芯片面积微缩。从6F2向4F2升级属于底层架构变革，原有设计与工艺流程无法直接复用，长鑫科技针对字线金属化、位线成型、结激活等关键工艺完成系列技术攻关。同时项目引入混合键合技术，将存储阵列与外围逻辑电路分开在两片晶圆制造，再通过键合工艺整合，突破传统单片DRAM制造的工艺限制。

DDR5 RDIMM由多颗DRAM裸片、寄存器、配套元器件集成在PCB板上，适配服务器7×24小时不间断运行工况，需完成多项CPU、主板兼容性测试，保障高速信号传输稳定。

4F2是DRAM存储单元的底层芯片架构，而DDR5 RDIMM是面向服务器使用的寄存型内存模组。本次计划推出的新一代DDR5 RDIMM，就是搭载基于4F2架构、融合混合键合技术制造的DRAM裸片组装而成。

公开资料显示，长鑫科技自成立起便启动4F2架构研究与专利布局，相关公开专利族超过300件。在2021年发布国内首篇4F2架构相关学术论文，并分别在2023年、2025年对外披露该架构迭代研发成果。本次大会并未公布新一代DDR5 RDIMM的具体硬件规格与精确发布时点。

长鑫科技多项存储产品与产线陆续落地

长鑫科技作为国内头部存储厂商，自7月27日在上交所科创板挂牌上市后，陆续官宣多项存储技术突破。

8月，公司自主研发的LPDDR6内存芯片正式实现量产商用，为全球首款落地商用的LPDDR6产品，首发搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。该产品峰值传输速率可达12800Mbps，单颗芯片最高容量16GB，相较前代LPDDR5X实现架构、功耗、速率全方位升级，终端功耗降低20%。

9月20日，长鑫科技第五代DRAM工艺平台（G5平台）正式量产，同步推出基于该平台研发的大容量LPDDR5X产品。G5平台通过四重曝光工艺，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，达到全球一线DRAM量产工艺水准，进一步提升芯片存储密度与良率，支撑中高端移动、消费级内存规模化交付。

9月28日，长鑫科技官宣两大重磅扩产与研发项目，持续完善DRAM IDM全产业链布局。其中技术研发项目总投资241亿元，用于先进DRAM工艺迭代、新架构技术研发、先进封装与芯粒技术攻关；后道测试基地二期项目总投资108亿元，规划新建专业DRAM测试工厂，覆盖芯片测试、模组组装等后道环节。

全球存储风云变幻，芯光浪潮开启

全球存储器市场需求格局变化，也为新一代服务器内存产品带来市场机会。

根据TrendForce集邦咨询最新研究显示，AI服务器需求持续扩张，HBM与Conventional DRAM仍竞逐有限的先进制程及晶圆产能，加上新一代产品的良率与产出提升仍需时间，预估2027年存储器供应将持续吃紧。

在整体存储器价格维持上行趋势的情况下，供应商对2027年HBM涨价态度亦更为明确，为反映整体供应持续紧张，以及高价HBM4占比提升、HBM4e于2027年下半年逐步放量所带来的影响，TrendForce集邦咨询上修明年HBM价格展望，预估Blended ASP年增幅度将达121%。

另外，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2026年第四季，DRAM原厂持续将先进制程投入生产Server（服务器）应用的高性能产品，整体维持供不应求格局，但是合约价涨势放缓，预计Conventional DRAM（一般型DRAM）将季增10%~15%。NAND Flash市场呈现AI加速与消费性需求低但仍连带涨价的双轨发展，预计整体合约价格将季增15%~20%。

2026年全球存储产业从传统周期迈入AI驱动的新周期。面对多重市场变量与技术变革，行业亟需集中交流研判产业走向。

• HBM与DDR5合约价能否维持强势？
• NAND Flash价格走势将如何演绎？在2027供需格局将转为宽松的预期下，QLC Enterprise SSD需求升温，能否带动整体闪存价格维持上行轨道？
• 成熟制程淡出市场又会如何影响DDR4、DDR3等存量市场？

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