江西
10月13日，韩国媒体《首尔经济日报》发表文章称，中国长鑫存储首次在全球DRAM内存市场获得两位数的市场份额，对三星电子和SK海力士构成了威胁。
市场研究公司Counterpoint Research发布的数据显示，长鑫存储今年第二季度在全球DRAM市场中的销售额占比达10%，这是长鑫存储季度市场份额首次突破两位数。长鑫存储的市场份额在2023年还不到1%，但近年来迅速增长，去年第二季度达到4%，今年第一季度达到8%，如今已突破10%。
尽管Counterpoint Research和全球投资银行瑞银此前预测长鑫存储的市场份额要到2028年才能达到10%，但该公司季度营收已提前突破10%大关。随着公司扩大生产线并加强与大型科技公司的销售，预计这一增长趋势将在短期内持续。
长鑫存储正在上海和合肥建设新的生产线，预计明年将产能从目前的每月32万片晶圆提高到42万片，并在2030年实现翻番。
长鑫存储正加速进军传统DRAM市场，例如1a DRAM。由于三星电子和SK海力士正全力争夺包括1c DRAM和HBM在内的先进内存，1a DRAM的供应已趋于短缺。此外，长鑫存储还通过为小米新款智能手机“小米Fold 18”配备其最新的低功耗DDR6产品，瞄准了由三星电子和SK海力士主导的先进内存市场。在HBM方面，长鑫存储正积极推进HBM3E的量产。HBM3E虽然是老一代产品，但仍然是三星电子和SK海力士的旗舰产品。
业内人士预测，长鑫存储将加快产能扩张和技术研发，目标是占据15%的市场份额。Counterpoint Research表示：“15%是长鑫存储必须超越的基准，所有正在进行的投资都是为了率先实现这一目标。”在NAND闪存市场，长江存储于第一季度成功占据了13%的市场份额，进一步提升了其在市场中的竞争力。
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