咱们都知道,因为美国的禁令,EUV光刻机买不到了。
这东西是啥?简单说,就是做7nm以下芯片的必备设备。没有它,按照传统的光刻思路,想进7nm以下的圈子,基本没戏。
有人可能会说,7nm、10nm也够用了吧?但说实话,工艺越先进,芯片性能越强,功耗越低,这是明摆着的事。像AI、手机芯片、CPU这些,谁不想往更先进的工艺上走?
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可EUV被卡住了,怎么办?原来的办法是把晶体管做小,物理上微缩,现在这条路走不通了,那芯片工艺还能怎么往前挪?
华为给出了一个答案,叫“韬定律”。说白了,就是用逻辑折叠技术,拿时间微缩来替代物理微缩。用DUV光刻机,基于7nm的工艺,通过结构改进、立体排列这些办法,硬是让7nm的芯片,做出了等效3nm的水平。
这意味着什么?意味着没有EUV,照样能通过结构创新,推着工艺往前走。这也给别的厂商指了另一条路。
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最近发现,国内最强的内存厂商长鑫,好像也搞出了自己的“韬定律”。具体工艺不太一样,但逻辑是通的。
内存和逻辑芯片不一样。逻辑芯片全是晶体管,内存是靠电容存电荷来记数据的,最基本的结构是“1个晶体管+1个电容”。如果有EUV,那简单,把晶体管尺寸缩小就行,一个存储单元占的面积就小了,存储密度就上去了。
那没有EUV呢?怎么让这个基本单元缩小?长鑫的办法是把晶体管垂直排列起来,省面积。
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传统的平面型晶体管布局,叫6F²结构,晶体管是平躺着的,占地方。而长鑫把它竖起来,叫4F²结构,一个存储单元只占4个空间,原来要占6个。相当于省了三分之一的地儿,存储密度直接提了50%。
基于这种4F²结构的内存,长鑫今年就可能量产上市。而三星同样的技术,可能要到2028年才上市。所以韩媒自己都认为,三星在这一块上,落后了长鑫两年。
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从技术原理上看,这其实也是类似于“韬定律”的一种思路——不跟你拼物理微缩,而是通过结构创新,把存储密度提上去,让芯片性能往上走。
你看,没有EUV,不管是逻辑芯片还是存储芯片,都能通过其他技术、结构上的创新,推动技术进步。都有可能研发出属于自己的“韬定律”,绕开EUV。
这条路不好走,但走通了,就是另一片天地。
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