北京
一台EUV光源样机，输出功率超过15W，零部件国产化率90%，连续运行超过100小时。这是中国初创公司朗道矽力（Langdao Silex）在第26届中国国际工业博览会上展出的原型机。据TrendForce援引多方消息，这家公司还需要三到五年才能把技术商业化。
先泼一盆冷水：光源不等于光刻机。一台完整的EUV扫描仪，需要收集与照明光学系统、高精度多层反射镜、晶圆台与掩模台、套刻精度控制以及整机集成，而这些设备背后是一条在中国几乎还不存在的独立供应链。所以即便朗道把光源功率做到量产级别，也不意味着中国很快就能造出自己的EUV光刻机。
这台样机到底做到了什么
朗道矽力成立于2024年，创始团队来自清华大学气体放电等离子体实验室。其FlintNano LPP-OXXO系统采用激光等离子体（LPP）技术，用高能激光脉冲轰击微小的加热金属液滴，产生极高温等离子体，从而辐射出EUV光。这与ASML现代光源的技术路线一致。
按公司公布的规格：
- 驱动激光功率1000W，工作频率1kHz至20kHz
- 转换效率超过2%
- EUV输出超过15W，亮度达100 W/(mm²·sr)
- 等离子体直径60μm，étendue为1×10⁻³ mm²·sr
- 连续运行超过100小时，等离子体稳定性3% RMS，EUV输出功率稳定性5%
这些指标适合半导体曝光实验，但距离大批量芯片生产还差得远。不过对一台前置量产阶段的光源来说，100小时以上的可用性已经相当可观——只是这个数字目前无法验证。
朗道还在开发FlintMicro-LPP高功率EUV光源，据报道已完成原理验证，但公司没有披露其输出功率、转换效率和运行寿命。
15W这个数字，得打个问号
纸面上看，朗道的EUV光源输出与西方和日本设备厂商最早期的EUV光源相当。但有个关键前提：朗道似乎是在等离子体处测量EUV功率，而不是像ASML那样在收集镜之后或中间焦点处测量。
作为参照，ASML早期的EUV验证设备在2007年使用约10W的中间焦点DPP光源；Cymer的LPP光源装在早期NXE:3100系统上，2012年晶圆曝光时输出最高11W。到2013年，Cymer在长时间运行中演示了约40W的中间焦点功率。日本的Gigaphoton在2013年首台原型机目标为25W，2014年初演示了43W，2014年底在10分钟测试中达到118W。
但这些历史数据涉及不同的测量条件和运行时长，直接比较极不准确。更关键的是，朗道没有披露其15W的EUV输出究竟在哪里测量。如果这个数字代表等离子体处产生的辐射，而非中间焦点处交付的功率，那么按行业标准测量，这台光源的可用输出会远低于15W。
作为对照，早期NXE:3400系列设备的中间焦点光源功率为125W至150W，而这还远远不够大批量制造使用。ASML在2018至2019年才推出250W级EUV光源用于商业生产，此后又实现了更高输出。提升输出需要更强的CO₂激光、高精度锡液滴发生器、有效的碎屑缓解、耐用的收集镜，以及大幅提升的长期可靠性。
ASML与Cymer用了大约六年时间，才把LPP EUV光源的中间焦点输出从11W提升到125W至150W。按这个节奏，朗道的LPP光源在未来三到五年内，除了开发工具之外派不上别的用场。
90%国产化，口径没说清
朗道声称原型机90%的零部件来自国内，大部分关键部件在中国开发。但公司没有解释这个国产化数字是按零部件数量、价值还是其他口径计算的。其代表据称也承认，提高EUV输出和改善长期运行稳定性，是商业化道路上必须达成的目标。
即便没有完整的EUV扫描仪，朗道的光源也可以支持EUV光刻胶开发、掩模检测研究、EUV收集与照明光学开发，以及最终的实验性曝光测试。但就目前这次发布而言，中国距离造出自己的EUV光刻机，并没有明显更近一步。
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