北京
10 月 22 日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称 “中微公司”，股票代码：688012）官方宣布，近日又达成了一项里程碑：Primo Domingo® 气相高选择性刻蚀设备全球首台机顺利付运国内重要集成电路研发制造客户。
芯片架构三维化正成为支持芯片持续缩微的重要动能，而高选择性刻蚀工艺是三维器件制造的最关键工艺之一。针对GAA、3D NAND、3D DRAM等器件工艺需求，中微公司在高选择性刻蚀设备领域的重要突破，填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。
中微公司Primo Domingo®采用全对称腔体结构与优化流场设计，在气体注入、温度控制、压力调控等关键环节实现系统整合，确保晶圆表面刻蚀的高度均匀性与工艺重复性。Primo Domingo®独特的集成气柜设计，可缩短气体注入距离，实现更快脉冲气体精密控制，提升刻蚀性能。设备内部采用了高抗腐蚀管路与特殊涂层材料以应对工艺所需的高活性刻蚀气体，保障设备长期可靠运行。此外，Primo Domingo®配备了双制冷/双加热晶圆基座，支持宽范围精准温控，显著提升了刻蚀工艺的均匀性与稳定性。Primo Domingo®同样搭载中微公司量产的Primo C6V3传输系统，可灵活搭配主刻蚀腔和辅助退火腔，满足不同刻蚀应用的需求。
该产品的成功付运，不仅进一步丰富了公司在高端刻蚀设备领域的产品矩阵，更有力支撑了集成电路产业在先进工艺节点上的技术攻坚，为客户实现更高性能、更小尺寸的器件制造提供了关键工艺设备保障。
目前，中微公司刻蚀设备全面覆盖从65纳米到3纳米及更先进工艺的刻蚀应用，全面覆盖存储器中各类超高深宽比刻蚀应用。介质刻蚀达到 60比1，90比1的极高深宽比，硅刻蚀达到140比1 的极高深宽比，已经达到国际一流水平。公司行业首创的双反应台（Dual-Station）ICP刻蚀技术，已经达到0.2纳米的单原子水平，相当于一根头发丝直径的30万分之一。
经过长期深耕与技术攻坚，中微公司已经累计开发出54种高端半导体设备，其中包括26种细分的单反应台反应腔和双反应台可单台独立操作的高能等离子体CCP及低能等离子体ICP刻蚀机，还包括24种薄膜设备，如各种MOCVD、PECVD、LPCVD、ALD、EPI设备和CMP及先进封装、光学量检测设备等。截至 2026 年 6 月底，中微公司已累计超过 8800 个反应台在国内外220余条生产线上实现量产，设备稳定性、工艺精度、量产适配性获得全球市场充分验证，平台化商业化布局成果丰硕。
中微公司资深副总裁丛海表示：“中微公司开发的一系列刻蚀设备在性能、稳定性等方面满足了客户的高标准要求，并可覆盖国内大多数的刻蚀应用需求。中微公司持续践行‘五个十大’的企业文化，将产品开发的十大原则始终贯穿于产品开发、设计和制造的全过程，秉持为达到设备高性能和客户严格要求而开发的理念，坚持技术创新、设备差异化和知识产权保护。随着新应用的进一步拓展，我们将继续推进与客户的密切合作交流，通过技术领域的持续创新，不断为客户提供极具竞争力的产品和解决方案，实现稳步发展与深度共赢。”
目前，中微公司平台化战略已全面落地，产品覆盖度持续提升，企业发展迈入规模化新阶段。未来五年计划通过“有机生长和外延扩展”，持续拓宽产品矩阵，覆盖包括刻蚀，薄膜，湿法和量检测设备等约60%以上的高端半导体设备市场，以及70%以上的先进封装设备市场。未来，中微公司将继续秉承“五个十大”的企业文化，使企业总能量、对外竞争的净能量最大化，实现高速、稳定、健康、安全的高质量发展，在规模、产品竞争力和客户满意度上成为国际第一梯队的微观加工设备公司。
10 月 22 日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称 “中微公司”，股票代码：688012）官方宣布，近日又达成了一项里程碑：Primo Domingo® 气相高选择性刻蚀设备全球首台机顺利付运国内重要集成电路研发制造客户。
芯片架构三维化正成为支持芯片持续缩微的重要动能，而高选择性刻蚀工艺是三维器件制造的最关键工艺之一。针对GAA、3D NAND、3D DRAM等器件工艺需求，中微公司在高选择性刻蚀设备领域的重要突破，填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。
中微公司Primo Domingo®采用全对称腔体结构与优化流场设计，在气体注入、温度控制、压力调控等关键环节实现系统整合，确保晶圆表面刻蚀的高度均匀性与工艺重复性。Primo Domingo®独特的集成气柜设计，可缩短气体注入距离，实现更快脉冲气体精密控制，提升刻蚀性能。设备内部采用了高抗腐蚀管路与特殊涂层材料以应对工艺所需的高活性刻蚀气体，保障设备长期可靠运行。此外，Primo Domingo®配备了双制冷/双加热晶圆基座，支持宽范围精准温控，显著提升了刻蚀工艺的均匀性与稳定性。Primo Domingo®同样搭载中微公司量产的Primo C6V3传输系统，可灵活搭配主刻蚀腔和辅助退火腔，满足不同刻蚀应用的需求。
该产品的成功付运，不仅进一步丰富了公司在高端刻蚀设备领域的产品矩阵，更有力支撑了集成电路产业在先进工艺节点上的技术攻坚，为客户实现更高性能、更小尺寸的器件制造提供了关键工艺设备保障。
目前，中微公司刻蚀设备全面覆盖从65纳米到3纳米及更先进工艺的刻蚀应用，全面覆盖存储器中各类超高深宽比刻蚀应用。介质刻蚀达到 60比1，90比1的极高深宽比，硅刻蚀达到140比1 的极高深宽比，已经达到国际一流水平。公司行业首创的双反应台（Dual-Station）ICP刻蚀技术，已经达到0.2纳米的单原子水平，相当于一根头发丝直径的30万分之一。
经过长期深耕与技术攻坚，中微公司已经累计开发出54种高端半导体设备，其中包括26种细分的单反应台反应腔和双反应台可单台独立操作的高能等离子体CCP及低能等离子体ICP刻蚀机，还包括24种薄膜设备，如各种MOCVD、PECVD、LPCVD、ALD、EPI设备和CMP及先进封装、光学量检测设备等。截至 2026 年 6 月底，中微公司已累计超过 8800 个反应台在国内外220余条生产线上实现量产，设备稳定性、工艺精度、量产适配性获得全球市场充分验证，平台化商业化布局成果丰硕。
中微公司资深副总裁丛海表示：“中微公司开发的一系列刻蚀设备在性能、稳定性等方面满足了客户的高标准要求，并可覆盖国内大多数的刻蚀应用需求。中微公司持续践行‘五个十大’的企业文化，将产品开发的十大原则始终贯穿于产品开发、设计和制造的全过程，秉持为达到设备高性能和客户严格要求而开发的理念，坚持技术创新、设备差异化和知识产权保护。随着新应用的进一步拓展，我们将继续推进与客户的密切合作交流，通过技术领域的持续创新，不断为客户提供极具竞争力的产品和解决方案，实现稳步发展与深度共赢。”
目前，中微公司平台化战略已全面落地，产品覆盖度持续提升，企业发展迈入规模化新阶段。未来五年计划通过“有机生长和外延扩展”，持续拓宽产品矩阵，覆盖包括刻蚀，薄膜，湿法和量检测设备等约60%以上的高端半导体设备市场，以及70%以上的先进封装设备市场。未来，中微公司将继续秉承“五个十大”的企业文化，使企业总能量、对外竞争的净能量最大化，实现高速、稳定、健康、安全的高质量发展，在规模、产品竞争力和客户满意度上成为国际第一梯队的微观加工设备公司。
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