北京
美国计划最高投入 3.89 亿美元扶植功率半导体，面向 AI 数据中心与核聚变
美国持续扩大本土功率半导体及关键材料布局。商务部依据《芯片与科学法案》（CHIPS and Science Act），与 4 家企业签署意向书，计划提供最高 3.89 亿美元的研发补助，支持高压功率半导体、垂直氮化镓（GaN）及超高纯度石英材料等技术开发。应用涵盖 AI 数据中心、电网基础设施及核聚变发电。
美国商务部指出，功率半导体是电力转换、控制及输送的关键器件。随着先进计算与能源基础设施需求增加，提高电力转换效率、强化电网稳定性及降低热损耗，已成为关键技术的发展方向。美国希望通过强化本土研发与制造能力，降低对海外供应链的依赖，同时提升能源安全及半导体产业竞争力。
核聚变：磁体驱动与射频加热
此次补助以核聚变及先进电力技术为主要方向。美国核聚变企业 Helion 预计最高获得 1.75 亿美元，用于开发高压功率半导体及先进电力模块，支撑核聚变发电所需的高峰值电流脉冲功率应用。相关器件将负责驱动及控制核聚变发电设备中的磁体，并协助回收磁体中的能量，以支撑核聚变发电系统运行。
另一家核聚变企业 Commonwealth Fusion Systems（CFS）预计最高获得 8500 万美元，主要投入射频等离子体加热所需的半导体与功率电子器件、核聚变诊断系统的嵌入式电子技术，以及抗辐射电子器件研发，以支撑核聚变设备的电力控制、等离子体加热及诊断需求。
数据中心供电与石英材料
在 AI 数据中心方面，Vertical Semiconductor 预计最高获得 7300 万美元，用于推进垂直氮化镓功率半导体技术，通过提高电力转换效率及缩小供电系统体积，支撑先进计算设备的高功率需求。该公司还计划展示相关技术，并应用于其所称的全球首个 2.5 MW 等级超级智能数据中心机柜，以应对下一代 AI 计算设备的供电需求。
材料企业 Sibelco 预计最高获得 5600 万美元，用于开发下一代超高纯度石英的纯化及精加工技术。超高纯度石英主要用于晶体生长坩埚、半导体工艺玻璃器皿及其他关键设备。相关研发将有助于强化美国本土半导体材料供应链。
意向书尚未最终核定
这 4 项补助目前仍处于意向书阶段，尚未完成最终核定。按照商务部的规划，政府将以取得各企业少数、无控制权及无表决权的股权作为提供补助的条件，借此提高公共资金投入研发所带来的潜在回报。
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