全球首座12英寸GaN工厂，英飞凌宣布开建！

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据报道，英飞凌科技公司正在奥地利菲拉赫工厂投资约11亿欧元，旨在打造全球首个300毫米晶圆氮化镓（GaN）功率半导体大批量生产工厂。预计将于2027年底投产，投资将持续到2034年。

此举标志着氮化镓（GaN）技术在商业化生产规模化方面迈出了重要一步，对欧洲半导体制造和供应链具有深远影响。对于电力电子设计人员而言，采用更大尺寸的晶圆有望改善制造成本，并加速氮化镓技术在人工智能数据中心、电动汽车和工业系统中的应用。

新的制造工厂将依托英飞凌在菲拉赫现有的洁净室基础设施，将升级后的生产能力与成熟的运营相结合，以降低扩建成本。

英飞凌于 2024 年成功加工了首批 300 毫米 GaN 晶圆，证明了该技术与传统的 200 毫米晶圆制造工艺相比，每片晶圆可生产约 2.3 倍的芯片。

该公司目前正将这项技术投入大规模生产，产能提升与市场需求保持一致。

“这项巨额投资表明了我们致力于加强欧洲半导体生态系统和欧洲技术自主的坚定决心。通过在 300 毫米晶圆上建立大规模生产，我们将成为全球首家实现氮化镓功率电子器件量产的公司，”英飞凌科技股份公司首席执行官 Jochen Hanebeck 表示。

与传统的硅基功率器件相比，GaN 器件具有更快的开关速度、更低的功率损耗和更少的发热量，从而能够实现更小、更高效的功率转换系统。

该项目获得了欧盟委员会根据《欧洲芯片法案》批准的3.19亿欧元国家援助。奥地利联邦经济、能源和旅游部的正式拨款申请仍在审批中。

这项投资旨在加强欧洲的半导体制造能力，同时支持产业界、大学、研究机构和小型科技公司之间的合作。

菲拉赫已经是英飞凌功率半导体研发和制造的重要中心。该公司在该基地拥有约4800名员工，在奥地利全国范围内共有约5800名员工。

新设施还将加强该地区氮化镓制造与正在进行的电力电子研发活动之间的联系。

随着人工智能基础设施、能源系统、电动汽车和机器人技术对高效功率转换的需求日益增长，对氮化镓功率半导体的需求预计将会加速增长。

根据 Yole Group 发布的《2026 年 GaN 功率半导体报告》，到 2031 年，全球 GaN 功率半导体市场规模可能达到约 35 亿美元，这意味着 2025 年至 2031 年间的年均增长率约为 35%。

对于英飞凌而言，随着氮化镓 (GaN) 技术从利基应用扩展到主流电力电子领域，转向 300 毫米制造工艺为实现更大的生产规模提供了途径。

全球首个采用300毫米晶圆的氮化镓工厂

英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）将在欧洲建立全球首个用于生产下一代氮化镓（GaN）功率半导体的300毫米晶圆高产能制造工厂。作为该项目的一部分，英飞凌将在2034年前投资约11亿欧元，用于升级其位于菲拉赫（Villach）的现有洁净室设施。利用现有和升级后的基础设施，将实现高效且经济的产能扩张。该工厂计划于2027年底投产。英飞凌的这项投资旨在满足市场对高性能电源解决方案快速增长的需求。氮化镓能够显著提高人工智能数据中心、能源基础设施、电动汽车、机器人和消费电子产品等众多应用领域的效率。

英飞凌是氮化镓功率电子领域的领导者。两年前，英飞凌成功加工出全球首片300毫米氮化镓晶圆，实现了技术上的里程碑。与200毫米晶圆相比，300毫米晶圆的芯片生产工艺更加先进，效率也显著更高，因为更大的晶圆直径意味着每片晶圆可生产2.3倍的芯片。目前，英飞凌正将这项技术转移到全球首家面向客户的大规模生产工厂。

“这项巨额投资彰显了我们致力于加强欧洲半导体生态系统和欧洲技术自主的坚定承诺。通过在300毫米晶圆上建立大规模生产设施，我们将成为全球首家实现氮化镓功率电子器件量产的公司，”英飞凌科技股份公司首席执行官Jochen Hanebeck表示。“此举将为氮化镓在人工智能、能源基础设施、电动汽车和机器人等众多关键应用领域的广泛应用铺平道路。这座全新的现代化生产设施将我们的创新优势转化为客户的直接利益。”

奥地利联邦总理Christian Stocker表示： “英飞凌的十亿欧元投资是奥地利高科技产业史上最大的单笔投资之一。这不仅体现了英飞凌对奥地利作为商业中心的坚定承诺，也有助于确保半导体产业的未来发展不仅在亚洲或美国，而且在奥地利和欧洲也将占据重要地位。菲拉赫将因此成为全球独一无二的生产基地，生产塑造未来的关键技术之一。这将增强我们的国际竞争力，保障奥地利的就业和价值创造。毕竟，奥地利或许并非自然资源无限的国家，但它拥有无限的人才储备。我们前沿的研究树立了国际标杆，像英飞凌这样的公司每天都在展现奥地利创新成果的有效性。这些正是我们希望通过产业战略加以巩固的优势，力争到2035年，奥地利能够再次跻身世界十大工业强国之列。”

奥地利联邦经济部长Wolfgang Hattmannsdorfer表示： “芯片对未来经济的重要性，正如石油对过去经济的重要性一样。目前，欧洲的芯片产量仅占全球总产量的10%左右。对我而言，结论显而易见：我们必须在欧洲生产这项关键技术。奥地利在节能芯片领域已处于领先地位。按人口比例计算，我们在欧盟半导体行业的企业研发支出排名第一。通过我们的产业战略，我们计划巩固这一领先优势，不仅研发新技术，还要实现工业化生产。这将惠及整个经济：统计数据显示，芯片行业的每一个就业岗位都能在更广泛的经济领域创造六个额外的就业岗位。因此，我们计划为英飞凌的新芯片生产项目提供高达3.19亿欧元的资金支持——具体资金来源需符合明确的选址标准。这将确保公共资金能够长期促进奥地利的价值创造和就业增长。”

这项开创性技术的投资得到了《欧洲芯片法案》的支持。欧盟委员会已批准3.19亿欧元的国家援助。奥地利联邦经济、能源和旅游部预计将在规定的期限内正式履行资金承诺。欧盟委员会批准奥地利联邦经济、能源和旅游部的这笔资金，不仅有助于扩大欧洲的制造业产能，还能在相关领域产生积极的溢出效应——例如，通过与大学和研究机构开展跨境合作，以及为初创企业和中小企业提供更多获取创新技术和产品的途径。

“卓越的科研成果转化为产业价值创造，才能真正体现竞争力和技术自主性。这正是我们旗舰项目的意义所在：我们从奥地利出发，将创新成果应用于产业实践，巩固我们的技术领先地位，并确保高技能就业岗位。微电子产业是经济和社会发展的关键支柱。整个奥地利半导体生态系统都将从中受益——从科研机构和大学到产业合作伙伴。因此，我们正在可持续地增强欧洲在微电子领域的竞争力和战略自主性。”英飞凌科技奥地利股份公司首席执行官 Sabine Herlitschka强调道。

这项投资巩固了菲拉赫作为全球电力电子和新型半导体材料技术中心的地位。英飞凌奥地利公司目前拥有约5800名员工，其中约4800名在菲拉赫[1]基地工作。英飞凌与大学、研究机构、初创企业和行业合作伙伴共同构成了奥地利南部国际知名的微电子生态系统的核心。新建的300毫米氮化镓（GaN）制造工厂也将与菲拉赫的电力电子研发活动产生积极的协同效应。

氮化镓是一种先进的半导体材料，能够更高效地开关和转换电能。这使得电子系统能够做得更小巧、更强大、更节能，同时降低能量损耗和发热量。分析师预计，到 2031 年，氮化镓功率半导体市场规模将增长至约 35 亿美元，这意味着 2025 年至 2031 年间的年均增长率约为 35%。

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