硬刚！长鑫回应美光质疑：新一代4F² DDR5内存来了，年底前向客户送样

面对新一代内存技术演进路线，长鑫和美光出现了严重分歧。

针对美光高层此前公开质疑4F² DRAM架构的言论，国产存储龙头长鑫存储（CXMT）在10月31日举办的第三季度业绩说明会中给出正式回应。

该公司证实，下一代也就是第六代DRAM技术平台基于4F² 架构开发，目前已顺利通过工程样品验证，首款产品预计2026年底前向客户送样。

业绩说明会上，长鑫科技表示，在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。预计今年年底公司会将采用 4F²架构的首代DDR5 RDIMM产品送样。

应用方向上，会优先落地服务器等高附加值、对密度要求高的产品，后续逐步向其他品类延伸。规模量产会根据客户验证进度、市场需求情况稳步推进。

不过，长鑫科技高管也表示，客观来讲，前瞻技术及新产品更多是构筑中长期竞争力，不会在短期全部转化为当期利润。

此番争端，源于美光对于4F²架构技术路线的公开质疑。

当地时间10月21日，在美光举行的技术路线图网络研讨会上，美光总裁兼首席技术与产品官斯科特·德博尔（Scott DeBoer）公开表示，美光将坚持6F²技术路线并直接转向3D DRAM开发，美光已对4F² 架构研究超过20年，认定其缺乏可行的微缩路径，甚至直言4F² 的部分讨论仅是“烟雾弹”。

美光认为，决定DRAM密度理论极限的关键在于电容间距与尺寸，而非晶体管的布局方式，并称4F² 更加“复杂且昂贵”，且存在基本的物理限制。

之后在接受日经亚洲采访时，德博尔再次重申美光研究4F² 技术已超过20年，但目前并未将其列入“技术路线图”。公司计划继续推进6F² 内存和下一代3D DRAM技术的发展。

“认为4F²比6F²更有优势是一种误解。”德博尔说。

他表示：“对于美光而言，无论使用4F² 还是6F² 架构，一样都需要EUV光刻技术。”ps.这是在内涵长鑫没有EUV光刻吗？

面对美光的质疑，长鑫科技表示：

“从物理规律看，DRAM位密度提升确实是一个复杂的系统工程，涉及字线、位线以及电容结构的多重空间博弈。”

长鑫科技称，相关说法反映了行业在先进制程微缩阶段所面临的普遍物理挑战。在特定技术节点下，不同架构在工艺集成复杂度、光刻次数、以及热预算等方面呈现出不同的成本效益曲线。

不同存储厂商基于自身历史技术积累、现有产线配置、专利布局及资本开支结构，往往会做出差异化的战略选择，值得理解和尊重。

就4F²等新技术带来的效益，长鑫科技则表示，前瞻技术及新产品不会在短期全部转化为当期利润，更多是构筑中长期竞争力。

4F²架构通过更紧凑的布局缩小存储单元面积、提高单位面积存储密度。采用4F²架构的首代产品今年年底送样后，该架构的规模量产会根据客户验证进度、市场需求情况推进。

今年10月，长鑫科技官宣其4F² DRAM架构研发近期取得关键进展，预计将于年底推出融合4F²架构及混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。4F²从单元结构入手，为国产DRAM微缩打开新的工艺路径。

在技术细节方面，长鑫存储的4F² 架构采用垂直环绕栅极（Vertical Surrounded Gate, VSG）晶体管技术。目前已拥有超过300 个公开专利家族。

从原理上看，4F² 架构通过改变存储单元的布局方式，将单元面积系数从传统6F² 的6降至4，能够在深紫外（DUV）光刻的工艺尺寸限制下显著提升芯片存储密度，无需依赖更先进的 EUV 光刻设备。

事实上，美光跳过4F²直奔3D DRAM的路线只是行业少数派，全球存储巨头三星与SK 海力士均在持续推进4F² 技术研发，侧面印证了该路线的技术可行性。

三星在ISSCC 2026上展示了结合垂直通道晶体管与晶圆级混合铜键合技术的16Gb 4F² DRAM原型，规划在 10a、10b、10c三个节点采用4F²架构，到10d节点再转向3D DRAM，三星半导体CTO宋载赫已证实相关研发稳步推进。

10a是其首个线宽低于10nm的节点，实际线宽约9.5–9.7nm，三星已于2026年4月产出工程裸晶，计划2026年内完成开发、2027年做质量测试、2028年量产。

三星DRAM 10nm级按 1x → 1y → 1z → 1a → 1b → 1c → 1d → 10a迭代，10a即接在1d后面。

从这个时间线来讲，长鑫的4F² 架构要领先三星两代。

SK海力士则选择垂直栅极（VG, Vertical Gate）技术路线，去掉了单元里独立的存储电容，转而利用晶体管本身的浮体效应（或新型存储介质特性）来保存数据，靠器件自身的物理特性实现信息存储。公司已于2026年7月完成测试阵列的读写验证，并计划在12月的IEDM国际电子器件会议上发表无电容4F² 技术论文。

芯硬件注：

关于4F²和 6F²的区别

在DRAM芯片中，F（Feature Size，特征尺寸）代表当前制程光刻能实现的最小线宽，是衡量制程工艺精度的基本单位。

nF²是DRAM单个存储单元的面积系数，每个1T1C（1个晶体管+1个电容）的存储单元，在芯片平面上占用的面积为n × F × F。

nF² 可以简单理解为，以F为边长，单个存储单元占用几倍的面积。4F²就是4倍，6F² 就是6倍，前者比后者小1/3。

系数n越小，相同制程下单位芯片面积能容纳的存储单元越多，位密度越高，单GB成本越低。

6F²是全球存储行业沿用了几十年的经典DRAM单元结构，也是目前量产最成熟、良率最稳定的方案，美光坚持的就是这条路线。

6F²采用平面型晶体管，晶体管和电容在晶圆平面上横向排布，字线、位线、电容沿平面方向依次布局，最终单个单元的等效面积为6倍的F²。

4F²是通过立体晶体管设计，把单个存储单元的面积系数从6压缩到4，是平面DRAM向密度极限推进的关键技术路线，长鑫三星、SK海力士、均在投入研发。

4F²不再使用平面晶体管，而是采用垂直环绕栅极（VSG）晶体管。简单来说，就是把晶体管的沟道做成立体垂直结构，栅极环绕在沟道周围，让晶体管从平躺变成站立，大幅压缩平面占用面积，配合电容结构的优化，最终将单个单元的等效面积压缩到4倍F²。

相同面积下，4F² 能放下的存储单元数量，是6F² 的1.5倍，理论密度提升50%。而且是在不依赖EUV光刻的前提下，用DUV工艺就能实现的密度跃升。

从技术形态来说，4F²可以看作是平面DRAM的进一步微缩优化，但依然是在单层晶圆上做单元布局压缩。

4F²之后就是真正的3D DRAM了，像3D NAND一样，垂直堆叠多层存储单元，靠层数实现密度跃升，这也是DRAM行业的下一代终极演进方向。