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7月23日消息，据报道，包括OPPO、vivo在内的多家国产手机厂商，已明确拒绝三星电子2026年Q3的存储芯片涨价报价！
尽管这轮报价相较于一二季度，涨幅已有所收窄，但下游厂商的态度异常坚决——不再为持续攀升的存储成本买单！
这并非一次简单的商务谈判破裂，而是整个手机行业对上游存储巨头积压已久的"怒火"的集中爆发。
自2025年下半年起，受AI数据中心建设对高带宽存储（HBM）产能的大幅挤占，消费级DRAM和NAND Flash供应持续趋紧。进入2026年，涨价更是如脱缰野马：DRAM合约价累计涨幅超过340%，单季度涨幅一度高达90%-95%；NAND闪存合约价涨幅突破320%；
一加中国区总裁李杰在发布会上直言：这一轮内存成本的累计涨幅超过400%，"可以说涨疯了"。
具体到手机物料层面，一台旗舰手机所需的12GB LPDDR5X内存，单颗成本从77美元跃升至146美元；1TB闪存芯片成本从200余元飙升至近600元。存储芯片在手机BOM（物料清单）中的占比，从过去的10%-15%暴涨至20%-30%以上，部分中低端机型甚至逼近30%-50%。
这意味着，一部2000元的手机，光存储成本就占了近600元。对于利润本就微薄的千元机市场而言，这几乎是"灭顶之灾"。
据供应链人士透露，OPPO、vivo已明确拒绝三星电子三季度的存储芯片报价。尽管三星此次报价的涨幅相较前两个季度已明显收窄，但手机厂商的态度十分明确——不接受。
总的来说，智能手机等下游产线制造商开始出现对存储半导体价格的明显抵制情绪，不愿再为屡创新高的存储成本买单。
不过从短期来看，即使下游品牌选择放缓存储器库存补充速度，移动端存储半导体供小于求的整体态势并不会发生改变。
尤其是在 DRAM 领域，NVIDIA Grace / Vera CPU 等服务器芯片带来了大量的 LPDDR 需求，挤占了原本应被分配至智能手机的产能。另一方面，由于各类 NAND 闪存产品共享底层技术基础，相关产能重分配至 AI 方向也相对容易。
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