誓要超越中国、韩国？日本芯片“国家队”高调官宣：明年量产2nm

众所周知，在芯片制造领域，台积电、三星是世界公认的行业标杆，就算是美国巨头想要代工先进芯片，也只能递上“投名状”，然后等待交付。毕竟不管是良品率、先进制程还是产能上，台积电、三星都是业界数一数二的存在，就算是英特尔这样的强劲对手，也没有任何办法。

最近，全球半导体行业爆出了一则重磅消息，有惊有喜也有疑问，日本芯片“国家队”Rapidus高调官宣，目前已经完成了2nm GAA晶圆试制，而且预计2027年，也就是明年就能实现量产！值得一提的是，日本还强调，目标就是要超越中国、韩国，对标的就是台积电、三星！

实话实说，第一眼看到这个消息的时候，很多人都会觉得有点好笑，毕竟在这个消息公布之前，普遍认知中的日本，其芯片量产能力还停留在40nm。怎么一夜之间，就从40nm快速进化到2nm了呢？按照行业的更迭标准来看，这相当于中间连跨了5个技术世代，想象一下，这相当于初中数学没及格的学生，突然成为“奥数竞赛”的种子选手，确实难以置信。

那么问题来了，日本这一次到底是真突破还是假大空呢？

首先，我们要搞清楚Rapidus究竟是什么来头？早在2022年，为打破技术空白，日本经济产业省牵头丰田、索尼、软银等八大本土巨头，组建国家队Rapidus，累计投入超5万亿日元扶持项目，试图跳过中间所有制程，直接冲击最前沿2nm工艺。

可以说，这家公司集结了几乎所有日本叫得出名字的科技巨头，并且砸入了不少资金，称得上是“国家级”的重点项目，这也是为何把它叫做日本芯片“国家队”的主要原因。

而Rapidus公布曝光的2nm试制晶圆，仅完成实验室小批量样品验证，简单理解就是，完成了一个实验室的小测试。虽然技术有所突破，但距离量产落地，中间依然隔了一条鸿沟，预计明年量产，日本还是太乐观了点。

而且还有一点，Rapidus能做出2nm样品，核心依靠两大外部“外挂”，自身没有底层核心技术储备。技术、设备全靠外部“外援”，自身无完整自研能力。

其一，核心工艺技术来自IBM。

IBM早在2021年完成2nm GAA晶体管实验室验证，但自身无大型晶圆厂，仅持有底层架构专利。双方达成合作，数百名日本工程师长期驻留美国实验室学习工艺方案，相当于直接购买成熟技术图纸，没有自主研发迭代的完整过程。台积电、三星不会出售先进制程核心工艺，这也是日本只能选择IBM的根本原因。

其二，EUV光刻机无供应限制

和中国不同，荷兰ASML对日本全面开放顶级NXE:3800E EUV光刻机，还在北海道设立专属技术服务中心，设备调试、维护全程配套。所以说，理论上来看，Rapidus想要购买多少EUV光刻机都可以，不受限制。

同时日本手握上游材料优势，光刻胶、涂布设备、硅片全球市占率超90%，这刚好和ASML光刻机形成配套，硬件原材料层面不用受制于人。

但这套模式存在致命短板，所有核心制造设备、底层工艺均依赖外部供给，一旦外部出现变动，外部技术、设备供应收紧，整条产线会直接停滞，没有自主替代方案。

当然，就算日本的这套方案可行，依然有绕不开的三大硬伤，任何一个不解决，短期都难以撼动台积电、三星。

第一大硬伤就是产能，Rapidus2027年规划月产能仅2.5万片晶圆。而台积电呢？当前先进制程月产能超100万片！2.5万片VS100万片？差距很清晰了吧，更何况，2.5万片够谁用的？

第二大硬伤就是良品率，就算Rapidus在2027年能够顺利实现量产，但如何稳定良品率才是关键所在！试制样品只需要保证单颗晶体管达标，量产要求几十万片晶圆稳定良品输出。台积电历经多代制程打磨，先进工艺良率稳定85%以上。Rapidus从40nm直接跳到2nm，跳过所有中间制程，没有成熟的工艺优化经验，良率爬坡周期会远超预期，生产成本会居高不下。

第三大硬伤就是时间节奏天然落后，台积电、三星2nm工艺2025-2026年已进入商用量产，2027年两家企业会迭代至1.6nm新一代工艺。就算Rapidus如期实现2nm量产，落地即落后1-2个技术节点，追赶节奏持续被动。所以说，日本誓要超越中、韩的目标，并不是那么好实现的！

当然了，看清日本芯片发展的壁垒和困难，我们也要更清楚中国芯的路该怎么走：在EUV、高端设备封锁的环境下，我们没有捷径可走，只能从成熟制程、设备、材料、EDA软件逐层突破。

日本Rapidus的尝试，给我们提供了清晰参照，捷径走得快，但根基不牢。一步一个脚印补齐全产业链，才能长期站稳脚跟。