旧存储，新战场

2026年，所有人的目光都盯着HBM和DDR5。AI算力竞赛把这两样东西推上了神坛，价格翻倍、产能售罄、订单排到2027年。但就在聚光灯之外，另一场战役正在悄然升温——旧存储，正在成为新的战场。

当三星、SK海力士、美光把最先进的产线全部押注HBM时，DDR4、SLC NAND、NOR Flash这些“过时”的产品，正在经历一场供需关系的剧烈反转。

DDR4：被巨头抛弃，被市场抢购

DDR4是这轮旧存储涨价中最具代表性的品种。

三星已于2025年6月停止DDR4接单。SK海力士计划2026年4月全面停产DDR4。美光也于2026年第一季度退出DDR4市场。三大原厂的态度高度一致：DDR4的产线正在被快速拆除。TrendForce预测，美光DDR4在整体DRAM产出中的占比将收敛至7%左右，并将逐年减少。

供给端持续收缩，需求端却并未同步萎缩。工业控制、网通设备、汽车电子等领域对DDR4仍有大量刚需。由于DDR4具有较佳的成本效益，相关需求反而在逐步回温。

供需失衡的直接结果是价格暴涨。2026年1月，DDR4 8Gb颗粒现货价格已从2025年低点的3.2美元飙升至15美元，累计涨幅高达369%。16GB现货价较年初暴涨200%至340%。到了二季度，8GB DDR4内存模组的大宗交易价格较上一季度最高涨幅接近两倍。64GB RDIMM服务器内存合约价从2025年四季度的450美元飙升到2026年一季度的900美元以上，半年翻倍。

涨价还在加速。摩根士丹利最新报告预测，三季度DDR4价格将再涨50%，四季度仍有两位数涨幅，且这个趋势可能延续到2027年一季度。DDR4在DRAM整体供货量中的占比已从2024年的37%下滑至2025年的17%，2026年预计将进一步萎缩至11%。越稀缺，越贵。越贵，越稀缺。

SLC NAND：从“边缘”到“稀缺”

如果说DDR4是被巨头“嫌弃”后意外走红，那SLC NAND的涨价则是一场结构性缺货的必然结果。

SLC NAND原本是NAND闪存中容量最小、速度最慢的品类，主要用于工业、汽车、物联网等对可靠性要求极高、对容量要求不高的场景。由于毛利率远低于3D NAND和HBM，原厂长期不愿把产能分给它。但随着AI边缘运算、数据中心、汽车电子等新场景对SLC NAND需求的持续提升，供需缺口正在急剧扩大。

TrendForce预计，2026年下半年SLC NAND合约价格将较上半年上涨120%至170%，且不排除有进一步上修空间。摩根士丹利的预测更为乐观：三季度和四季度SLC价格都将上涨超过50%，MLC和SLC的涨价弹性甚至可能超过DDR4。

上半年，SLC NAND累计合约价涨幅已突破100%。下半年，这个数字可能还要再翻一倍。

NOR Flash：被遗忘的角落，正在被重新定价

NOR Flash的处境与SLC NAND相似，但需求侧的逻辑略有不同。它广泛应用于汽车电子、工业控制、物联网设备、TWS耳机等领域，市场规模虽不及DRAM和NAND，但需求极为稳定。

产能同样被挤压。存储器大厂的产能规划持续倾向HBM和高层数3D NAND，挤占了NOR Flash和SLC NAND依赖的成熟制程产能。交期延长与配货现象率先出现。2026上半年，NOR Flash累计合约价涨幅已突破100%。其中，高容量NOR Flash有车用电子与边缘AI需求支撑，预计下半年价格仍有60%至65%以上的调涨空间。中低容量NOR Flash则可能受中国供应商产能逐步释放影响，涨幅相对温和。

摩根士丹利在2026年1月的报告中就指出，NOR Flash一季度价格涨幅可能达20%至30%，二季度延续涨势。市场的反应比预测更猛烈。

旧存储的逻辑

DDR4、SLC NAND、NOR Flash——这些曾被称作“过时技术”的产品，在2026年集体翻红。背后的逻辑并不复杂。

原厂不愿扩产。新晶圆厂从建设到投产至少需要2至3年，最快也要2028年才能释放产能。现有产线正在快速向HBM和DDR5迁移，成熟制程的产能被持续压缩。

需求没有消失。工业控制、汽车电子、网通设备、物联网——这些场景不需要最快的速度，但需要稳定、可靠、成本可控的存储解决方案。DDR4和SLC NAND恰好满足这些条件。

供需缺口在扩大。三大原厂分配给模组厂的DRAM供应量仍将持续下降，供需失衡至少延续至2027年上半年。正如摩根士丹利所言，传统存储芯片的供需缺口正在持续扩大，行业正在迎来新一波超级周期。

当聚光灯打在HBM和DDR5身上时，旧存储正在暗处完成一场自我救赎。旧存储的战场，已经打响了。