安徽
还记得7年前的日韩半导体大战吗？
2019年，日本政府限制对韩出口氟化聚酰亚胺、光刻胶、氟化氢三种关键芯片材料，卡住了韩国芯片的脖子，也掐住了韩国经济的命脉。
韩国虽然采取了反制+自救措施，依然损失惨重，最终在美国的调节下与日本妥协。
如今，风向又变了。
最近，韩国SK集团会长崔泰源访问东京期间明确表示，正考虑SK海力士与日本铠侠联合生产NAND闪存，并计划在日本建设芯片工厂。
要知道，在全球NAND闪存市场，SK海力士22%排第二，铠侠14%列第三，两者是直接竞争对手。
全球NAND闪存市场份额
昔日的对手，怎么要“抱团”了？
众所周知，AI引爆存储需求，各大存储巨头纷纷投资扩大产能。
海力士即便在韩国加码1000万亿韩元，也无法满足未来的需求。
同步在日本布局工厂，成为最佳选项之一。
日本之所以成为最佳选项之一，是因为日本半导体产业配套极为成熟。
更重要的是，日本在光刻胶、高纯气体、特种晶圆材料等核心上游领域，依旧掌握全球话语权。
牵手铠侠，海力士可以直接利用铠侠的产能，更能够深度绑定日本供应链，规避风险。
此外，海力士还是铠侠的重要间接投资方，这让双方关系更进一层。
海力士与铠侠的微妙关系，正是当前全球存储行业的真实写照。
除了中国的长鑫存储与长江存储外，全球的存储玩家主要有韩国的三星、海力士，美国的美光、闪迪，日本的铠侠。
全球HBM市场份额
一方面，各家在终端市场激烈厮杀，频发专利诉讼、价格战，挤压对手生存空间。
另一方面，又保持着微妙的合作关系。
铠侠与闪迪的合资关系超过25年，近期刚将协议延长至2034年，计划联合投资超310亿美元扩建日本工厂。
海力士与闪迪，于2025年签署了合作备忘录，共同制定高带宽闪存（HBF）的全球标准。
三星与海力士联手，与高通合作推进高带宽计算（HBC）技术商业化。
三星、海力士、美光三家HBM制造商历史上首次联手入股AI公司Anthropic。
合作之外，还有默契。
巨头们通过有序控产、技术协同、供应链互通，共同稳住行业产能节奏，避免恶性价格战，维系存储芯片整体高利润格局。
早在2021年，三星电子、海力士和美光在美国因涉嫌操控DRAM价格被起诉。
今年6月，三星、海力士和美光又在美国加利福尼亚联邦法院被提起集体诉讼，被控合谋操纵DRAM价格。
海力士与铠侠的“抱团”，表面看是为了产能，深层看是共同构筑行业壁垒，维系垄断地位。
如今，稳定的行业棋局，正在被中国企业打破。
2026年第二季度，长江存储以14%的NAND出货份额首次跻身全球第三，超越铠侠。
长鑫存储DRAM份额从三年前的2.4%攀升至9%。
虽然按营收计，中国厂商与头部仍有差距，但追赶的速度不容忽视。
面对海外巨头“抱团”，中国企业也不应该单打独斗，而是要全力发挥产业链协同优势。
当产业链上下游协同作战，中国存储产业才能实现集体突围。
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