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9月21日消息，在近日举行的2026世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产！
同时长鑫科技展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品，并首次公开展示了已量产的LPDDR6内存！
G5平台的核心突破在于制程微缩。该平台依托四重曝光（Quadruple Patterning）技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。
作为参照，三星当前最先进的DRAM节点为12纳米级，长鑫G5的11.95纳米已媲美三星量产水平。 关键在于，这一突破是在不依赖EUV光刻机的条件下，使用ArF浸没式DUV实现的。
长鑫科技副总裁骆晓东介绍，第五代技术平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术，把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将平台核心功能区高度缩小到6762纳米。
同时，平台微缩工艺的突破推动存储密度实现跨越式提升：每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。
据悉，长鑫存储第一代技术平台也是在2019年的世界制造业大会上官宣的。当时，长鑫存储内存芯片自主制造项目正式投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相。
7年后的2026年7月，长鑫科技正式登陆科创板，上市首日市值突破3.28万亿元，登顶A股市值榜首。招股说明书显示，其是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。2026年上半年，伴随着本轮全球存储芯片价格的持续暴涨，长鑫科技业绩实现跨越式反转，彻底扭转此前经营颓势。
“未来，我们将持续面向全球市场需求推进技术迭代，推出更高性能、更高可靠性的存储产品。”骆晓东表示，公司将继续为全球数字产业发展提供坚实的底层存储支撑。
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