AI芯片、光模块带火硅电容，朗矽科技又融了2个亿，高瓴、东方富海都投了

《科创板日报》9月25日讯，近日，上海朗矽科技有限公司（下称“朗矽科技”）完成近2亿元Pre-A+轮融资。本轮投资方包括高瓴创投、智微资本、商汤国香资本、嘉溢创投、飞图创投、中启资本，老股东东方富海继续加注。

本轮资金将用于硅电容、硅电阻和硅电感等硅基无源器件研发，并投入核心团队扩充、关键设备采购及规模化量产交付。

2026年3月，朗矽科技曾宣布完成近8000万元Pre-A轮融资，投资方包括东方富海、金浦智能、石雀投资和险峰资本。计入本轮融资后，公司累计融资金额接近3亿元。

根据财联社科创板日报—执中数据的融资预测模型，以2026年9月为预测基准时间，朗矽科技后续2年的融资预测概率为94.47%。该数据仅为模型估算，不代表实际融资结果。

朗矽科技的工商主体成立于2022年，团队于2023年3月启动硅基无源器件创业项目，总部位于上海市嘉定区。公司处于半导体先进封装上游，主要开发可贴近处理器裸片或嵌入封装基板的硅电容，并向硅电阻、硅电感等器件延伸。

创始人汪大祥本硕阶段学习材料专业，2005年进入上海先进半导体，从事制造及工艺整合；此后在新加坡格芯参与先进制程、新型存储器及后端工艺研发。2016年回国后，他加入华为海思，参与昇腾310、昇腾910等芯片项目，随后又在北方华创负责设备销售及客户协同。

这段横跨芯片制造、产品研发与设备客户服务的经历，构成朗矽科技的创业基础。与单纯提供器件设计不同，公司需要同时协调晶圆制造、封装、基板和终端客户，在性能、可靠性、成本与批量交付之间完成工程化平衡。

朗矽科技最早切入3D硅电容。与传统多层陶瓷电容相比，硅电容可利用半导体工艺形成三维结构，在较小面积内提高电容密度，并降低寄生电感。其主要价值不是取代所有传统电容，而是在CPU、GPU、AI加速器等高功耗芯片附近承担快速、稳定的瞬态供电，并用于高速光模块的电源滤波和信号耦合。

公司于2023年启动3D硅电容研发，2024年开始产品出货，随后将产品线延伸至硅电阻。据公司披露，其容值密度为2μF/mm²的硅电容已完成相关可靠性验证，表面贴装和基板埋容两种产品路径均已进入客户验证或交付阶段。

商业化方面，朗矽科技称，多端子基板埋容产品已在CPU、GPU领域实现规模化交付，并取得亿元级订单；面向光通信市场，公司已向一家海外头部光模块厂商批量供应适配1.6T光模块的硅电容。

公司同时披露，目前已经量产或完成验证的客户超过20家，量产型号超过200款，月产能超过5亿颗，预计2026年收入达到数千万元。上述客户、订单、产能和收入数据均为公司口径，未披露具体客户名称及订单履约周期。

从公司预计收入与订单规模的差距看，亿元级订单预计需要分阶段完成交付、验收并确认收入。名义产能也不等于实际产量和销量，后续需要关注客户验证进度、产品良率、产能利用率，以及大额订单能否稳定转化为收入和现金流。

朗矽科技此轮融资并非孤立事件。2026年1月，硅基无源器件企业矽谦半导体完成亿元级战略融资；4月，该公司又宣布完成数亿元增资，业务覆盖3D硅电容、硅转接板和集成无源器件。9月，森丸电子完成亿元级A轮融资，资金用于硅电容及集成无源器件平台建设、产能提升和市场拓展。

多家国内企业在一年内获得资金，背后是AI芯片功耗提高和封装复杂度上升带来的供电需求变化。当GPU、ASIC与HBM被集成在更紧凑的封装空间内，电容需要更靠近芯片裸片，以缩短供电路径并应对瞬时电流变化；800G、1.6T光模块升级，也对器件尺寸、高频性能和耐温能力提出了更高要求。

国际厂商正在同步扩大投入。三星电机2026年披露，其已与一家全球大型客户签署1.5万亿韩元硅电容供应合同，供货期为2027年至2028年，这是该公司硅电容业务首次取得大规模供应合同。村田则已形成面向高速光通信的硅电容产品线，并开发将电容、电感嵌入硅基板的集成产品，应用方向包括AI加速器电源模块和光收发组件。

这意味着硅电容正在从小规模、高价值的利基器件，向AI封装供电和高速光通信供应链扩展；但市场增长同时会吸引全球被动元件厂商、晶圆厂及先进封装企业进入。

对朗矽科技而言，本轮融资之后的核心观察点，不再只是器件参数和客户验证数量，而是亿元级订单的交付节奏、量产良率及收入兑现能力。公司还需在国际厂商加快规模供货的背景下，证明其产品能够在一致性、成本和长期可靠性方面满足CPU、GPU及光模块客户的批量采购要求。

（科创板日报记者 敖瑾）