长鑫科技斥资349亿加码研发与测试 “跳代研发”第五代工艺技术平台量产

长江商报消息●长江商报记者 沈右荣

A股硬核科技公司长鑫科技（688825.SH）大规模扩产。

9月28日晚，长鑫科技发布公告，公司拟投资新建技术研发项目、存储器晶圆后道测试基地二期项目，投资总额分别为241亿元、108亿元，合计达349亿元。这两个项目，公司拟分别使用超募资金130亿元、50亿元进行投入。

对于新建这两个项目，长鑫科技称，目的是加速公司技术和产品迭代升级，满足下游应用需求与技术范式转变，保障后道测试产能，提升运营效率，降低测试成本，完善IDM模式。

长鑫科技是中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。公司坚持自主研发道路，通过跳代研发策略加速技术创新，快速完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产迭代。9月20日，公司在2026世界制造业大会上宣布第五代工艺技术平台正式实现量产。

2026年上半年，长鑫科技研发投入68.59亿元，同比增长87.35%。

拿180亿超募资金投建新项目

豪掷349亿元，长鑫科技加速研发布局。

根据最新公告，长鑫科技拟新建两个项目，即技术研发项目、存储器晶圆后道测试基地二期项目，这两个项目拟使用超募资金180亿元投资建设。其中130亿元用于新建技术研发项目，50亿元通过向全资子公司增资和提供借款的方式，用于建设存储器晶圆后道测试基地二期项目。

上述关于两个项目的议案已于9月28日经长鑫科技第二届董事会会议审议通过，尚需提交股东会审议。

公告显示，技术研发项目投资总额241亿元，项目建设周期30个月，实施地点位于合肥经济开发区新桥科技创新示范区长鑫12英寸存储器晶圆制造基地内。

长鑫科技表示，构筑并维持核心竞争力与长远发展的根本，在于坚定不移地推进产品与制程工艺的迭代升级。面对如此复杂的产业格局和技术路径，公司必须依托持续的研发投入，驱动工艺技术的代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断实现质的飞跃。这不仅是满足市场需求的关键，更是构筑企业深厚护城河、提升抗风险能力的必由之路。本次新建的技术项目，主要用于技术研发，通过持续推进产品和制程工艺迭代，提升存储密度、功耗控制以及读写性能，并加快新产品推出。

存储器晶圆后道测试基地二期项目投资总额108亿元，项目建设周期37个月，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。

至于建设后道测试基地，长鑫科技表示，测试是DRAM生产中不可或缺的关键环节，但因其测试的专用设备特性，随着公司产能不断提升、产品种类增多，可能面临外部封测厂测试产能不足和新增投资配套不足问题。通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，公司能够更灵活协调测试产能利用，降低公司DRAM芯片测试成本，提升公司运营效率和测试技术，并进一步完善IDM模式。

综上所述，上述项目投资总额349亿元，拟合计使用超募资金180亿元。

两个项目，同时加码技术研发和后道测试两个环节。一方面，长鑫科技希望通过研发投入推动DRAM产品和工艺持续迭代；另一方面，通过完善后道测试能力，强化从前道制造到后道测试的产业链整合，提升竞争力。

2026年7月27日，长鑫科技登陆A股市场，公司IPO实际募资666.07亿元，净额为663.10亿元，超募资金368.10亿元。截至目前，超募资金尚未使用。本次拟使用180亿元，接近超募资金规模的一半。

全球拥有专利7884项

依靠自主研发创新崛起的长鑫科技，已经跻身全球前列。

长鑫科技是中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。自2016年成立以来，公司始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。公司采取跳代研发的策略，快速完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等产品覆盖和迭代升级。目前，公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。

DRAM是现代信息技术和数字信息产业发展的重要基石，长鑫科技于2019年9月推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破。自此开始，公司持续进行产品迭代升级。

2026年9月20日，长鑫科技披露，公司在2026世界制造业大会上宣布，公司第五代工艺技术平台正式实现量产，并同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品。

长鑫科技称，第五代工艺技术平台实现量产，有助于公司进一步丰富产品矩阵、提升核心竞争力、巩固市场地位。

在研发投入方面，2025年及2026年，公司研发费用分别为95.93亿元、68.59亿元，同比均高速增长。

截至2026年6月末，长鑫科技拥有4484项境内专利（其中发明专利3744项）以及3400 项境外专利，境内外专利合计为7884项。公司拥有7491名研发人员，占公司员工总数的比例超过33%。

中国是全球最大的DRAM需求市场之一，全球前三家DRAM厂商三星电子、SK海力士和美光科技长期占全球90%以上的市场份额。长鑫科技持续扩产，不断提升全球市场份额，并为中国DRAM市场提供稳定供应。

公开数据显示，2026年二季度，长鑫科技全球份额逼近10%，排名第四，同比增速150%，是全球增长最快的DRAM厂商。

随着市场份额提升，长鑫科技的经营业绩实现了惊人速度增长。2026年上半年，公司实现的营业收入、归母净利润分别为1503.10亿元、776.05亿元，同比增长873.64%、3427.76%。

二级市场上，长鑫科技股价高位波动，9月29日收盘价55.55元/股，市值3.77万亿元，稳居A股“一哥”之位。