北京
芯东西（公众号：aichip001）
作者 ZeR0
编辑 漠影
芯东西10月16日报道，方正微电子推出SiC DIP32功率模块，搭载自研车规芯片，通过3000小时可靠性测试。
新能源汽车OBC、悬架控制、空调压缩机等车载电气系统长期承受高低温循环，分立器件方案布线繁杂；高温下器件参数漂移显著，发热高，性能不稳定，很难同时实现小型化、高效率与长寿命。新发布的功率模块正是针对这些痛点。
耐压裕量高，抗高压冲击；高温下参数漂移小，性能稳定。标准化集成方案可减少布线与调试，为车载小三电提供紧凑可靠的SiC功率方案。
方正微电子本次推出的SiC DIP32功率模块，首发1200V 35mΩ及1200V 60mΩ两大产品，精准匹配OBC、悬架电控、车载DC-DC功率需求。
依托自主迭代的先进工艺平台，其产品矩阵将持续演进，后续将陆续推出750V 20mΩ、1200V 16mΩ、1500V 20mΩ产品型号，覆盖多电压平台、多功率等级应用场景。
▲全温域超高耐压，同等芯片面积出流更强
同时，方正微电子将持续丰富封装产品线，后续逐步落地DIP4in1、DIP21、DIP29全系列封装产品，丰富整套“功率积木”的零件库，为客户提供多元化选型方案，从源头保障供应链稳定可控，满足车企长期量产交付。
车载工况温差跨度大，高低温交替冲击极易引发器件耐压衰减，给OBC、悬架电控、DC-DC系统运行带来安全隐患。
方正微电子推出的DIP32模块实现-50℃~175℃全温域稳定承压，搭载的芯片击穿电压BV超1450V，相较国际主流友商产品，耐压余量提升120V，为复杂车载工况预留充足安全冗余，有效规避高压击穿、系统失效风险。
对于相同面积芯片，该模块采用的自研芯片出流能力较竞品提升10%，真正实现面积不增加，载流更强劲，完美适配车载模块的小型化、高功率密度设计趋势。
▲车规级全链路可靠，高温性能出众
高温参数漂移、长期工况失效，是车载功率器件面临的核心挑战。
方正微电子从自研SiC芯片到模块封装，全链路完成严苛可靠性验证。其产品在175℃极限高温工况下，RDS (on)为56mΩ，相较国际友商同规格产品，高温参数漂移量减少38.5%，大幅缓解高温工况下器件性能衰减问题。
更优的高温稳定性，直接带来系统级收益：器件导通损耗大幅降低，整机转换效率显著提升，可缩减10%以上散热体积，降低散热器、壳体等配套物料成本，助力小三电系统实现轻量化、小型化升级。
DIP32模块已顺利通过AQG324车规权威认证与2000小时可靠性验证；核心自研SiC芯片则是完成3000小时加严可靠性测试，3倍于行业常规验证标准。
双重长效严苛验证，充分保障产品在高频振动、高低温循环、长期满载运行的车载复杂工况下稳定工作，大幅降低终端产品售后故障率，适配高标准车规小三电。
传统小三电OBC、悬架电控、DCDC方案多采用分立单管，存在布线复杂、杂散电感大、散热不均、调试难度高的痛点，极大限制系统功率密度提升。
方正微电子推出的SiC DIP32集成式功率模块，可优化传统分立方案，升级核心参数：杂散电感降低35%以上，系统热阻下降超15%。
▲重构小三电碳化硅解决方案
更低的杂散电感可有效抑制开关震荡、降低电磁干扰，简化OBC、悬架电控、DCDC的EMC调试；更低的系统热阻，让热量传导更高效，进一步提升整机功率密度，大幅缩短客户研发调试周期，降低整机设计与量产成本。
无需拼搭分立器件，直接选用标准化功率积木，可快速完成功率回路搭建。从参数性能到系统收益，从单点产品到全矩阵布局，方正微电子计划持续深耕车载碳化硅功率领域，推动新能源汽车小三电系统高效化、小型化、高可靠升级。
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