北京
英特尔 CEO 陈立武（Lip-Bu Tan）
英特尔 CEO 陈立武认为，在芯片制造实力上，中国并没有明显落后于美国。他是在接受《日经亚洲》（Nikkei Asia）采访时作出上述表态的。访谈中，他还谈到了英特尔的重组举措，以及如何打造一家足以对标台湾积体电路制造公司（台积电，TSMC）的代工业务——后者是全球最大的晶圆代工厂商。
英特尔 CEO 陈立武称代工业务可成为增长引擎，但强调要有耐心把它做对
在芯片制造技术上，中国与美国的关系一直是外界高度关注的议题。包括埃隆·马斯克（Elon Musk）和蔡司半导体业务负责人在内的多位知名人士都就此发表过看法。马斯克甚至断言，中国最快只需两到三年就能突破制造端的限制。
另一方面，蔡司半导体业务 CEO 则认为，在最先进的极紫外（EUV）芯片制造技术上，中国落后 15 年是一个合理的判断。
如今，业内经验最丰富的高管之一、英特尔 CEO 陈立武也分享了自己的看法。在被问及美国制裁阻止中国企业采购最新 EUV 光刻机之后的中美半导体产业格局时，他给出了回答。
荷兰巨头阿斯麦（ASML）制造的半导体光刻机。图片来源：ASML
对此，这位英特尔 CEO 表示，所有公司——无论来自中国还是美国——都各有长处和短板。他继续强调客户需求对任何一家公司而言都至关重要，并补充说，最终决定谁能胜出的，是对企业客户和个人客户来说最好的产品。
随后，陈立武被问到：中国能否在五到十年内追上美国的先进芯片制造水平。由于无法采购 EUV 光刻机受到限制，中国无法像台积电和英特尔那样缩小芯片电路尺寸，从而同步提升产品性能与功耗表现。
陈立武的回答相当简短，他只说了一句：“就目前来看，我认为并没有落后太多。”
中国厂商朗道燧岩（Landau）的 Flint EUV 光源原型。图片来源：Landau
中国厂商朗道燧岩的 EUV 光源宣称可连续运行 100 小时，或成关键突破
在陈立武发表上述看法前不久，中国的朗道燧岩（Landau）发布了首台 EUV 光源原型。据称该光源可连续运行 100 小时，输出功率为 15W。相比之下，阿斯麦首台可用于大批量生产（HVM）的 EUV 光刻机是 NXE:3400B，其出厂时搭载 150W 光源，并具备升级至 250W 的潜力。
250W 这个数字之所以重要，是因为它让这些设备足以在成本和规模上与深紫外（DUV）浸润式光刻系统正面竞争。不过，正如一位半导体业内人士所指出的，真正令人印象深刻的其实是运行时间。
由于 EUV 光源需要每秒用二氧化碳气体轰击锡液滴十万次，要让它连续运行 24 小时极其困难——困难到阿斯麦干脆重新定义了 EUV 光刻扫描机的“运行时间”口径，把光源自身的运行时间排除在外。
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