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11月10日消息，韩国三星电子与SK海力士正围绕极紫外（EUV）光刻机展开交付排期争夺战。
消息人士指出，两者各自投入规模介于10万亿至20万亿韩元，目标是锁定ASML在2027至2028年的稀缺产能，为先进DRAM与HBM扩产卡位。
ASML已在第三季财报会议明确示警：即便2027年EUV产能提升30%、2028年再扩产30%，仍无法满足客户需求。
今年EUV出货量约65台，较去年44台增长近50%，但供给瓶颈持续发酵；核心设备交付周期已拉长至原来的两倍，涨价效应预计2027年浮现、后年充分显现。今年Q3存储器客户占ASML整机销售比重已达46%。
SK海力士今年3月曾表示，采购约11.95万亿韩元的EUV设备，交付期限订于2027年底。随着1c制程（10纳米级第六代DRAM）微缩，EUV应用层数由过去3层增加至5层以上，单线设备需求同步攀升。
行业人士指出，制程越先进，曝光工时与机台数量越成为产能爬坡的关键制约。三星则配合平泽P5产线节奏下单。该厂隶属五年450万亿韩元本土投资方案，单座晶圆厂投资逾60万亿韩元，目标2028年投产；一期无尘室预计明年上半年完工，光刻设备将陆续进场。
三星同时规划2028年导入High-NA EUV，抢占先进DRAM量产窗口。
设备紧缺正从前道延伸至后道。韩美半导体、安靠（Amkor）等先进封装厂订单能见度已排满两至三年，热压键合机（TC Bonder）等HBM关键制程设备需求走扬。
业内人士判断，AI数据中心芯片不仅比拼前段制程，后端多维堆叠与互连的价值也同步提升，前后段景气绑定加深。
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